Lam Research Corporation ha anunciado que SK hynix Inc. ha seleccionado la innovadora tecnología de fabricación de resistencia seca de Lam como herramienta de desarrollo para dos pasos clave del proceso de producción de chips DRAM avanzados. Una tecnología innovadora introducida por Lam en 2020, la resistencia seca amplía la resolución, la productividad y el rendimiento de la litografía ultravioleta extrema (EUV), una tecnología fundamental utilizada en la producción de semiconductores de próxima generación. A través del trabajo de Lam con SK hynix y la colaboración continua con los socios del ecosistema en la tecnología de resistencia seca, la empresa sigue asumiendo un papel de liderazgo en el impulso de las innovaciones de patronaje para eliminar los obstáculos asociados al escalado a los futuros nodos de memoria con la litografía EUV.

Desarrollada por primera vez por Lam en colaboración con ASML e IMEC, la tecnología de resistencia seca ofrece varias ventajas sobre el patronaje convencional de resistencia químicamente amplificada para la litografía EUV. Las soluciones de tecnología de resistencia seca mejoran significativamente la sensibilidad EUV y la resolución de cada pasada de la oblea, permitiendo que los patrones se adhieran mejor a la oblea y mejorando el rendimiento y la producción. Además, el enfoque de desarrollo de resistencias secas de Lam ofrece beneficios clave de sostenibilidad al consumir menos energía y de cinco a diez veces menos materias primas que los procesos tradicionales de resistencias químicas húmedas.