onsemi celebró la inauguración de su planta de carburo de silicio (SiC) en Hudson, New Hampshire, con una ceremonia de corte de cinta. Como muestra de la importancia de este evento y de la fabricación de semiconductores en EE.UU., se contó con la asistencia de múltiples invitados de honor, encabezados por la Secretaria de Comercio de EE.UU., Gina Raimondo. También estuvieron presentes las senadoras estadounidenses Jeanne Shaheen y Maggie Hassan de New Hampshire, el representante Chris Pappas del primer distrito del Congreso de New Hampshire y la representante Annie Kuster del segundo distrito del Congreso de New Hampshire, así como otros dignatarios gubernamentales locales.

El emplazamiento aumentará la capacidad de producción de bolitas de SiC de la empresa en cinco veces al año y casi cuadruplicará el número de sus empleados en Hudson para finales de 2022. La ampliación otorga a onsemi el control total de su cadena de suministro de fabricación de carburo de silicio, desde el abastecimiento de polvo de carburo de silicio y materia prima de grafito hasta la entrega de dispositivos de SiC totalmente empaquetados. Esto permite a onsemi ofrecer a sus clientes la garantía de suministro necesaria para satisfacer la creciente demanda de soluciones basadas en SiC.

El SiC es crítico para permitir la eficiencia en los vehículos eléctricos (EVs), la carga de los EVs y la infraestructura energética y es un importante contribuyente en el camino hacia la descarbonización. Se prevé que el mercado total direccionable de SiC crezca de 2.000 millones de dólares en 2021 a 6.500 millones en 2026, con una tasa de crecimiento anual compuesta del 33%. La ceremonia de inauguración se produce tan sólo unos días después de que el presidente Biden firmara la Ley CHIPS y de Ciencia.

Esta ley reforzará la resistencia de la cadena de suministro y ayudará a evitar las interrupciones de los componentes críticos que afectan a todos los sectores de la economía.