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SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

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Samsung Electronics Co. Comienza la producción de chips con tecnología de proceso de 3nm con arquitectura GAA

30/06/2022 | 04:00

Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado que ha iniciado la producción inicial de su nodo de proceso de 3 nanómetros (nm) aplicando la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA). El FET de puente múltiple y canal (MBCFET), la tecnología GAA de Samsung implementada por primera vez, desafía las limitaciones de rendimiento del FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el nivel de tensión de alimentación, al tiempo que mejora el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente de accionamiento. Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor nanosheet con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de alto rendimiento y bajo consumo, y tiene previsto ampliarlo a los procesadores móviles. La tecnología patentada por Samsung utiliza nanohojas con canales más anchos, que permiten un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética en comparación con las tecnologías GAA que utilizan nanohilos con canales más estrechos. Utilizando la tecnología GAA de 3nm, Samsung podrá ajustar la anchura de los canales de la nanoplancha para optimizar el uso de la energía y el rendimiento para satisfacer las distintas necesidades de los clientes. Además, la flexibilidad de diseño de GAA es muy ventajosa para la cooptimización de la tecnología de diseño (DTCO), que ayuda a potenciar los beneficios de potencia, rendimiento y área (PPA). En comparación con el proceso de 5nm, el proceso de 3nm de primera generación puede reducir el consumo de energía hasta en un 45%, mejorar el rendimiento en un 23% y reducir el área en un 16% en comparación con los 5nm, mientras que el proceso de 3nm de segunda generación va a reducir el consumo de energía hasta en un 50%, mejorar el rendimiento en un 30% y reducir el área en un 35%. A medida que los nodos tecnológicos se hacen más pequeños y las necesidades de rendimiento de los chips aumentan, los diseñadores de CI se enfrentan al reto de manejar enormes cantidades de datos para verificar productos complejos con más funciones y un escalado más ajustado. Para satisfacer estas demandas, Samsung se esfuerza por ofrecer un entorno de diseño más estable que ayude a reducir el tiempo necesario para el diseño, la verificación y el proceso de aprobación, al tiempo que aumenta la fiabilidad del producto. Desde el tercer trimestre de 2021, Samsung Electronics ha estado proporcionando una infraestructura de diseño probada a través de una amplia preparación con los socios del Ecosistema de Fundición Avanzada de Samsung (SAFE), entre los que se encuentran Ansys, Cadence, Siemens y Synopsys, para ayudar a los clientes a perfeccionar su producto en un periodo de tiempo reducido.


© S&P Capital IQ 2022
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Información financiera
Ventas 2022 314 023 MM 240 MM 235 MM
Resultado Neto 2022 41 542 MM 31,7 MM 31,1 MM
Efectivo neto 2022 118 924 MM 90,7 MM 89,1 MM
P/E ratio 2022 9,56x
Rendimiento 2022 2,46%
Capitalización 410 238 MM 313 MM 307 MM
VE / Ventas 2022 0,93x
VE / Ventas 2023 0,82x
Nro. de Empleados -
Flotante 83,0%
Gráfico SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Duración : Período :
Samsung Electronics Co., Ltd. : Análisis técnico gráfico Samsung Electronics Co., Ltd. | MarketScreener
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Tendencias en análisis técnico SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Corto plazoMediano plazoLargo plazo
TendenciasNeutralPesimistaPesimista
Evolución de la cuenta de resultados
Consenso
Venta
Compra
Recomendación promedio COMPRAR
Numero de análisis 38
Último precio de cierre 61 000,00 KRW
Precio objetivo promedio 84 276,32 KRW
Diferencia / Objetivo Promedio 38,2%
Revisiones del BPA
Directivos y Administradores
Jong-Hee Han Vice Chairman & Co-Chief Executive Officer
Kye Hyun Kyung Co-Chief Executive Officer & Executive Director
Hee-Chan Roh Chief Financial Officer
Han-Jo Kim Chairman
Sang-Gyun Kim Head-Compliance Management
Sector y competencia