Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de los paquetes DRAM LPDDR5X de 12 nanómetros (nm), 12 gigabytes (GB) y 16 GB más finos de la industria, consolidando así su liderazgo en el mercado de DRAM de bajo consumo. Aprovechando su amplia experiencia en el empaquetado de chips, Samsung es capaz de ofrecer paquetes DRAM LPDDR5X ultrafinos que pueden crear espacio adicional dentro de los dispositivos móviles, facilitando un mejor flujo de aire. Esto facilita el control térmico, un factor cada vez más crítico especialmente para aplicaciones de alto rendimiento con funciones avanzadas como la IA en el dispositivo.

Con los nuevos paquetes de DRAM LPDDR5X, Samsung ofrece la DRAM LPDDR de clase 12 nm más fina del sector en una estructura de 4 pilas1, reduciendo el grosor en aproximadamente un 9% y mejorando la resistencia al calor en cerca de un 21,2%, en comparación con el producto de la generación anterior. Gracias a la optimización de las técnicas de placa de circuito impreso (PCB) y compuesto epoxi de moldeo (EMC)2, el nuevo encapsulado de la DRAM LPDDR es tan fino como una uña, con 0,65 milímetros (mm), el más fino entre las DRAM LPDDR existentes de 12 GB o superiores. El proceso optimizado de solapamiento posterior3 de Samsung también se utiliza para minimizar la altura del encapsulado.

Samsung tiene previsto seguir ampliando el mercado de la DRAM de bajo consumo suministrando su DRAM LPDDR5X de 0,65 mm a los fabricantes de procesadores móviles, así como a los fabricantes de dispositivos móviles. Como la demanda de soluciones de memoria móvil de alto rendimiento y alta densidad en tamaños de encapsulado más pequeños sigue creciendo, la empresa tiene previsto desarrollar módulos de 6 capas de 24 GB y de 8 capas de 32 GB en los encapsulados de DRAM LPDDR más finos para futuros dispositivos.