Samsung Electronics Co., Ltd., ha anunciado que ha desarrollado la primera DRAM LPDDR5X de la industria que soporta el mayor rendimiento del sector de hasta 10,7 gigabits por segundo (Gbps). Aprovechando la tecnología de proceso de clase 12 nanómetros (nm), Samsung ha logrado el tamaño de chip más pequeño entre las LPDDR existentes, solidificando su liderazgo tecnológico en el mercado de las DRAM de bajo consumo. Con el auge de las aplicaciones de IA, la IA en el dispositivo, que permite el procesamiento directo en los dispositivos, es cada vez más crucial, lo que subraya la necesidad de memorias LPDDR de bajo consumo y alto rendimiento.

La LPDDR5X de 10,7 Gbps de Samsung no sólo mejora el rendimiento en más de un 25% y la capacidad en más de un 30%, en comparación con la generación anterior, sino que también amplía la capacidad de un solo paquete de DRAM móvil hasta 32 gigabytes (GB), lo que la convierte en una solución óptima para la era de la IA en el dispositivo que requiere una memoria de alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo. En particular, la LPDDR5X incorpora tecnologías especializadas de ahorro de energía, como la variación optimizada de potencia que ajusta la energía en función de la carga de trabajo y la ampliación de los intervalos del modo de bajo consumo que amplían los periodos de ahorro de energía. Estas mejoras aumentan la eficiencia energética en un 25% con respecto a la generación anterior, lo que permite que los dispositivos móviles ofrezcan una mayor duración de la batería y que los servidores minimicen el coste total de propiedad (TCO) al reducir el uso de energía al procesar los datos.

Está previsto que la producción en masa del LPDDR5X a 10,7 Gbps comience en la segunda mitad del año, tras la verificación con los proveedores de procesadores de aplicaciones móviles (AP) y dispositivos móviles.