Texas Instruments Incorporated ha anunciado la ampliación de su cartera de productos de nitruro de galio (GaN) de baja potencia, diseñada para ayudar a mejorar la densidad de potencia, maximizar la eficiencia del sistema y reducir el tamaño de los sistemas electrónicos de potencia de consumo CA/CC y de los sistemas industriales. La cartera global de TI de transistores de efecto de campo (FET) de GaN con controladores de puerta integrados aborda los retos habituales del diseño térmico, manteniendo los adaptadores más fríos a la vez que impulsan más potencia en un espacio más reducido. La nueva cartera de FET de GaN con controladores de puerta integrados, que incluye los LMG3622, LMG3624 y LMG3626, ofrece la detección de corriente integrada más precisa del sector. Esta funcionalidad ayuda a los diseñadores a lograr la máxima eficiencia al eliminar la necesidad de una resistencia de derivación externa y reducir las pérdidas de potencia asociadas hasta en un 94% en comparación con los circuitos tradicionales de detección de corriente utilizados con los FET discretos de GaN y silicio.

Maximice la eficiencia energética y simplifique el diseño térmico: Los FET de GaN de TI con controladores de puerta integrados permiten velocidades de conmutación más rápidas, lo que ayuda a evitar el sobrecalentamiento de los adaptadores. Los diseñadores pueden alcanzar una eficiencia del sistema de hasta el 94% para aplicaciones CA/CC < 75 W o superior al 95% para aplicaciones CA/CC > 75 W. Los nuevos dispositivos ayudan a los diseñadores a reducir el tamaño de la solución de un adaptador de corriente típico de 67 W hasta en un 50% en comparación con las soluciones basadas en silicio.

La cartera también está optimizada para las topologías más comunes en la conversión de potencia CA/CC, como el flyback cuasirresonante, el flyback de medio puente asimétrico, el convertidor inductor-inductor, la corrección del factor de potencia tótem-polo y el flyback de pinza activa. Inversión a largo plazo en la fabricación de GaN: TI cuenta con un largo historial de operaciones de fabricación internas de propiedad global y diversidad regional, que incluyen fábricas de obleas, fábricas de ensamblaje y pruebas, e instalaciones de bump y sondas en 15 emplazamientos de todo el mundo. TI lleva más de 10 años invirtiendo en la fabricación de tecnología GaN.

Con planes para fabricar internamente más del 90% de sus productos para 2030, TI tiene la capacidad de ofrecer a sus clientes una capacidad fiable durante las próximas décadas. Embalaje, disponibilidad y precios: Las cantidades de producción del LMG3622 y el LMG3626 y las cantidades de preproducción del LMG3624 ya están disponibles para su compra en TI.com/GaN. El precio comienza en 3,18 dólares en cantidades de 1.000 unidades.

Disponible en un encapsulado plano cuádruple sin plomo de 8 mm por 5,3 mm y 38 patillas. Los módulos de evaluación, incluido el LMG3624EVM-081, empiezan en 250 USD. Hay disponibles múltiples opciones de pago y envío.

También están disponibles los dispositivos pin-to-pin sin detección de corriente integrada, LMG3612 y LMG3616.