Texas Instruments ha anunciado que ha iniciado la producción de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) en su fábrica de Aizu, Japón. Junto con su fabricación actual de GaN en Dallas (Texas), TI fabricará ahora internamente cuatro veces más semiconductores de potencia basados en GaN, a medida que Aizu aumente su producción. Alternativa al silicio, el GaN es un material semiconductor que ofrece ventajas en cuanto a eficiencia energética, velocidad de conmutación, tamaño y peso de la solución de potencia, coste global del sistema y rendimiento en condiciones de altas temperaturas y alta tensión.

Los chips de GaN proporcionan más densidad de potencia, o potencia en espacios más reducidos, lo que permite aplicaciones como adaptadores de corriente [2] para ordenadores portátiles y teléfonos móviles, o motores más pequeños y energéticamente más eficientes [3] para sistemas de calefacción y aire acondicionado y electrodomésticos. TI ofrece la cartera más amplia de semiconductores de potencia integrados basados en GaN, desde los de bajo voltaje hasta los de alto voltaje, para hacer posible la electrónica de mayor eficiencia energética, fiabilidad y densidad de potencia. Además, con el proceso GaN-on-silicon patentado por la empresa, más de 80 millones de horas de pruebas de fiabilidad y funciones de protección integradas, los chips GaN de TI están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alto voltaje.

Gracias a la utilización de los equipos más avanzados disponibles para la fabricación de chips GaN, la nueva capacidad de TI permite aumentar el rendimiento del producto y la eficiencia del proceso de fabricación, así como una ventaja en costes. Además, las herramientas más avanzadas y eficientes utilizadas en la fabricación ampliada de GaN de TI pueden producir chips más pequeños, con una potencia aún mayor. Esta innovación en el diseño puede fabricarse utilizando menos agua, energía y materias primas, y los productos finales que utilizan chips de GaN disfrutan de estas mismas ventajas medioambientales.

Las ventajas de rendimiento de la fabricación añadida de GaN de TI también permiten a la empresa escalar sus chips de GaN a voltajes más altos, empezando con 900 V y aumentando a voltajes más altos con el tiempo, lo que fomenta la eficiencia energética y las innovaciones de tamaño para aplicaciones como la robótica, las energías renovables y las fuentes de alimentación para servidores. Además, la inversión ampliada de TI incluye un exitoso proyecto piloto a principios de este año para el desarrollo de procesos de fabricación de GaN en obleas de 300 mm. Además, los procesos ampliados de fabricación de GaN de TI son totalmente transferibles a la tecnología de 300 mm, lo que posiciona a la empresa para adaptarse fácilmente a las necesidades de los clientes y pasar a 300 mm en el futuro.

La ampliación del suministro y la innovación en la tecnología GaN es el último ejemplo del compromiso de TI con una fabricación responsable y sostenible. TI se ha comprometido a utilizar electricidad 100% renovable en sus operaciones en EE.UU. para 2027, y en todo el mundo para 2030.