ROHM Co., Ltd. ha anunciado que ha establecido una asociación estratégica con TSMC para el desarrollo y la producción en volumen de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) para aplicaciones de vehículos eléctricos. La asociación integrará la tecnología de desarrollo de dispositivos de ROHM con la tecnología de proceso de GaN sobre silicio de TSMC para satisfacer la creciente demanda de propiedades superiores de alto voltaje y alta frecuencia sobre el silicio para dispositivos de potencia. Los dispositivos de potencia GaN se utilizan actualmente en aplicaciones industriales y de consumo, como adaptadores de CA y fuentes de alimentación para servidores.

TSMC, líder en sostenibilidad y fabricación ecológica, apoya la tecnología GaN por sus potenciales beneficios medioambientales en aplicaciones de automoción, como cargadores de a bordo e inversores para vehículos eléctricos (VE). La asociación se basa en el historial de colaboración de ROHM y TSMC en dispositivos de potencia GaN. En 2023, ROHM adoptó los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN de 650 V de TSMC, un proceso que se utiliza cada vez más en dispositivos industriales y de consumo como parte de la serie EcoGaN? de ROHM.

de ROHM, incluido el adaptador de CA de 45 W (cargador rápido) "C4 Duo" producido por Innergie, una marca de Delta Electronics Inc.