Mitsubishi Electric Corporation ha anunciado que comenzará el envío secuencial de muestras a finales de junio de dos nuevos tipos de transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC-MOSFET) de quinta generación en formato de chip desnudo (bare die). Estos nuevos SiC-MOSFET están diseñados para su integración en inversores para motores de tracción y eAxles de vehículos eléctricos (EV), híbridos enchufables (PHEV) y otros vehículos electrificados (xEV). Incorporan la estructura de trinchera patentada de Mitsubishi Electric y logran una resistencia en conducción (on-resistance) líder en la industria, aproximadamente un 25% inferior a la de los productos actuales.

Los productos se exhibirán en la PCIM Expo & Conference 2026 (del 9 al 11 de junio en Núremberg, Alemania), así como en ferias comerciales en Japón, China y otros países. Los chips desnudos SiC-MOSFET de quinta generación de Mitsubishi Electric contribuirán al rendimiento y a la miniaturización de los inversores y eAxles para xEV, lo que permitirá ampliar la autonomía y mejorar la eficiencia energética de estos vehículos. Además, la tecnología de proceso de fabricación propia de la compañía suprime la degradación del rendimiento y las fluctuaciones en la pérdida de potencia y la resistencia en conducción, garantizando una calidad estable incluso tras un uso prolongado, y contribuyendo a la durabilidad y prestanciones de los sistemas de propulsión eléctrica.