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Mercado cerrado - Nasdaq 22:00:00 28/11/2023 Gráfico intradía de GlobalFoundries, Inc. Varia. Cinco días. Varia. 1 de enero.
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Ventas 2023 * 7.394 M 6.730 M Ventas 2024 * 7.606 M 6.923 M Capitalización 30,34 MM 27,61 MM
Resultado Neto 2023 * 1.015 M 924 M Resultado Neto 2024 * 1.134 M 1.032 M VE / Ventas 2023 *
3,99x
Posición de caja neta 2023 * 833 M 758 M Posición de caja neta 2024 * 2.331 M 2.122 M VE / Ventas 2024 *
3,68x
P/E ratio 2023 *
29,9x
P/E ratio 2024 *
27,4x
Empleados 14 000
Rendimiento 2023 *
-
Rendimiento 2024 *
-
Flotante 100,00%
Gráfico dinámico
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1 día-0,96%
1 semana-2,92%
Mes actual+10,52%
1 mes+5,50%
3 mes+3,98%
6 mes-8,68%
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Extremo 48.115
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1 año
48.12
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Chief Executive Officer 65 2014
Chief Tech/Sci/R&D Officer 62 2009
Director/Board Member 46 2018
Administradores PuestoEdadDesde
Director/Board Member 82 2017
Director/Board Member 58 2021
Director/Board Member 69 2019
Más información privilegiada
Fecha Cotización Variación Volumen
28/11/23 54,84 -0,96% 788 341
27/11/23 55,37 -1,05% 1 051 492
24/11/23 55,96 -1,60% 625 576
22/11/23 56,87 +0,67% 731 156
21/11/23 56,49 -3,30% 747 387

Cotización diferida Nasdaq, 28 de noviembre 2023 a las 22:00

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GLOBALFOUNDRIES Inc. es un proveedor de servicios de fabricación de semiconductores. La empresa está especializada en procesos de fabricación, una biblioteca de títulos de propiedad intelectual (IP) y tecnología de transistores y dispositivos diferenciados. La empresa atiende a una serie de clientes, entre los que se encuentran los líderes mundiales en diseño de circuitos integrados (CI), y proporciona soluciones optimizadas para los requisitos de función, rendimiento y potencia de las aplicaciones críticas. Proporciona soluciones de fundición diferenciadas que hacen posible la era de las tecnologías centradas en los datos, conectadas, inteligentes y seguras. La cartera de tecnologías principales de la empresa incluye una serie de plataformas tecnológicas diferenciadas, como soluciones de RF de silicio sobre aislante (SOI), transistores de efecto de campo de aletas (FinFET), semiconductores de óxido metálico (CMOS), productos de SOI totalmente agotados (FDXTM), silicio germanio (SiGe) y silicio fotónico (SiPh).
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