IQE plc ha anunciado una colaboración estratégica con VisIC Technologies para desarrollar los productos de alimentación de nitruro de galio en modo D (D-Mode GaN) de mayor fiabilidad para su uso en inversores de vehículos eléctricos. IQE y VisIC Technologies colaborarán en el desarrollo de epiwafers de potencia de GaN en modo D de 200 mm (8") que se desarrollarán en las instalaciones de IQE en el Reino Unido, aprovechando la consolidada experiencia de IQE en tecnología GaN. VisIC Technologies, con su innovadora tecnología D3GaN (Direct Drive D-Mode GaN), enfoca el futuro de los inversores para vehículos eléctricos.

Esta tecnología promete reducir el consumo de energía, aumentar la fiabilidad y mejorar el rendimiento en los vehículos eléctricos. Al combinar las innovadoras soluciones de electrónica de potencia de VisIC Technologies con la excelencia en epitaxia de IQE, esta asociación pretende acelerar la adopción de la tecnología GaN sobre silicio en los VE, contribuyendo de forma significativa a la evolución del transporte sostenible.