STMicroelectronics ha anunciado un proceso avanzado basado en la tecnología Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI) de 18 nm con memoria de cambio de fase integrada (ePCM) para dar soporte a los dispositivos de procesamiento integrados de próxima generación. Esta nueva tecnología de proceso, desarrollada conjuntamente por ST y Samsung Foundry, ofrece un salto en rendimiento y consumo energético para aplicaciones de procesamiento embebido, al tiempo que permite tamaños de memoria más grandes y mayores niveles de integración de periféricos analógicos y digitales. El primer microcontrolador STM32 de nueva generación basado en la nueva tecnología empezará a distribuirse a clientes seleccionados en el segundo semestre de 2024, y la producción está prevista para el segundo semestre de 2025.

En comparación con la tecnología ST de 40 nm de memoria no volátil integrada (eNVM) utilizada, la FD-SOI de 18 nm con ePCM mejora ampliamente las cifras clave de mérito: Una relación rendimiento/energía más de un 50% mejor, una densidad de memoria no volátil (NVM) 2,5 veces mayor que permite memorias en chip más grandes, una densidad digital tres veces mayor para la integración de periféricos digitales como aceleradores de IA y gráficos y funciones de seguridad y protección, una mejora de 3 dB en la figura de ruido para mejorar el rendimiento de RF en MCU inalámbricas, La tecnología es capaz de funcionar a 3 V para alimentar funciones analógicas como la gestión de energía, los sistemas de reinicio, las fuentes de reloj y los convertidores digital/analógico. Es la única tecnología de menos de 20 nm que admite esta capacidad. La tecnología también ofrece la fiabilidad necesaria para las exigentes aplicaciones industriales gracias a un funcionamiento robusto a altas temperaturas, endurecimiento por radiación y capacidades de retención de datos ya probadas en aplicaciones de automoción.