El consejo de administración de HG Semiconductor Limited ha anunciado que el Grupo ha comenzado recientemente a fabricar su propia oblea epitaxial de GaN de 6 pulgadas para la electrónica de potencia (la oblea). El éxito de la fabricación de la oblea se produce mucho antes de lo previsto y allana el camino para la rápida industrialización y producción en masa de semiconductores de tercera generación de GaN por parte del Grupo. Esto representa un importante logro de la transformación empresarial del Grupo en proveedor de semiconductores GaN de tercera generación y marca un hito en la comercialización de los semiconductores GaN de tercera generación del Grupo.

El Grupo sigue siendo optimista sobre las perspectivas de fabricación de semiconductores de tercera generación, en particular la fabricación y venta de GaN, y seguirá profundizando en su transformación empresarial hacia su objetivo de ser el líder de la industria en el suministro de semiconductores GaN de tercera generación al mercado de la Gran China.