Weebit Nano Limited ha anunciado que, junto con su socio de desarrollo CEA-Leti, ha demostrado sus primeras matrices de barras cruzadas operativas, un hito clave en el camino de la empresa hacia la creación de chips de memoria no volátil (NVM) discretos (independientes). La arquitectura 1T1R (un transistor, una resistencia) utilizada en las matrices de ReRAM integradas no es suficiente para soportar las grandes matrices de células de memoria necesarias en los chips de memoria discreta. Por este motivo, las matrices de barras cruzadas de Weebits se desarrollaron utilizando una arquitectura 1S1R (un selector una resistencia) que permite la alta densidad necesaria para los chips discretos. Esta arquitectura también permite apilar las matrices de Weebits en capas 3D para que puedan ofrecer densidades aún mayores. La arquitectura ReRAM de barra cruzada 1S1R de Weebits tiene aplicaciones potenciales en la memoria de clase de almacenamiento, la memoria persistente y como reemplazo de la flash NOR. También es ideal para arquitecturas de IA como la computación en memoria y la computación neuromórfica.