Advanced Semiconductor Engineering Inc. ha anunciado su último avance tecnológico Fan-Out-Chip-on-Substrate-Bridge (FOCoS-Bridge), logrado gracias a la cualificación de un gran encapsulado de 70 mm x 78 mm que incorpora dos ASIC y ocho dispositivos de memoria de alto ancho de banda (HBM) conectados a través de ocho puentes de silicio. Este gran encapsulado presenta dos estructuras en abanico FOCoS-Bridge idénticas de 47 mm x 31 mm integradas una al lado de la otra, con cada una de ellas compuesta por un ASIC con cuatro HBM y cuatro puentes de silicio, integrando de forma efectiva nueve componentes en cada encapsulado en abanico de 47 mm x 31 mm, lo que supone casi 2 veces el tamaño del retículo de silicio. Situado bajo la plataforma ASE VIPacko?

esta tecnología FOCoS-Bridge está diseñada para ser altamente escalable, lo que permite una integración perfecta en arquitecturas de chip complejas al tiempo que ofrece conexiones troquel a troquel (D2D) de alta densidad, un elevado recuento de entradas/salidas (E/S) y una transmisión de señales de alta velocidad para los requisitos cambiantes de la inteligencia artificial (IA) y la informática de alto rendimiento (HPC). La tecnología FOCoS-Bridge responde a la creciente demanda de mayor ancho de banda y velocidades de transferencia de datos más rápidas en las aplicaciones de IA y HPC. Aprovecha las ventajas de las estructuras en abanico altamente integradas para superar las limitaciones de las interconexiones eléctricas tradicionales, y permite una comunicación de datos de alta velocidad, baja latencia y eficiencia energética entre procesadores, aceleradores y módulos de memoria.

FOCoS-Bridge establece las bases para incrustar pasivos y chips activos en el encapsulado fan-out y ofrece opciones de integración de capacidad de desacoplamiento para la optimización de la entrega de energía y troqueles activos para la interconexión entre a determinadas funciones, como memoria, E/S, etc. El FOCoS-Bridge de ASE presenta una interconexión D2D de densidad ultra alta con una L/S submicrónica, lo que permite un gran ancho de banda con baja latencia para la integración de chiplets. El uso de un troquel puente de silicio permite una densidad lineal en el borde del troquel (hilo/mm/capa) casi 200 veces superior a la del encapsulado flip chip orgánico tradicional.

Además, FOCoS-Bridge permite amplias interconexiones D2D tanto para interfaces serie como paralelas y estándares asociados como XSR, BOW, OpenHBI, AIB y UCIe.