Cambridge GaN Devices (CGD) y Neways Electronics (Neways) han anunciado que firmarán un acuerdo para desarrollar productos de inversores solares fotovoltaicos de alta eficiencia basados en la tecnología de nitruro de galio en Electronica 2022. La asociación, que se forjó después de que las dos empresas se conocieran mientras colaboraban en el proyecto GaNext, financiado con fondos europeos, ya ha dado sus frutos. En Electronica, tanto en el stand de Neways como en el de CGD (pabellón C3, stand 535), los visitantes podrán ver una demostración de un inversor fotovoltaico de 3kW desarrollado conjuntamente por las dos empresas.

Utilizando ocho transistores GaN CGD65A055S2, este diseño ultracompacto y sin transformador alcanza una densidad de potencia de 1kW/L. Con un Vin de 150-350VDC, un Vout de 230VAC y una frecuencia de conmutación de 350kHz, el diseño tiene una eficiencia máxima del 99,22%.