SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. La demanda de chips de memoria de gran ancho de banda (HBM) se ha disparado con la creciente popularidad de la IA generativa. Pero Samsung, a diferencia de sus homólogos SK Hynix y Micron Technology, ha brillado por su ausencia en cualquier acuerdo con el líder de chips de IA, Nvidia, para suministrar los últimos chips HBM.
Una de las razones por las que Samsung se ha quedado rezagada es su decisión de seguir con la tecnología de fabricación de chips denominada película no conductora (NCF) que causa algunos problemas de producción, mientras que Hynix cambió al método de bajo relleno moldeado por reflujo masivo (MR-MUF) para solucionar la debilidad de la NCF, según analistas y observadores del sector.
Samsung, sin embargo, ha emitido recientemente órdenes de compra de equipos de fabricación de chips diseñados para manejar la técnica MUF, según afirmaron tres fuentes con conocimiento directo del asunto.
"Samsung tenía que hacer algo para aumentar sus rendimientos (de producción) de HBM... adoptar la técnica MUF es un poco como tragarse el orgullo para Samsung, porque acabó siguiendo la técnica utilizada por primera vez por SK Hynix", dijo una de las fuentes.
Samsung afirmó que su tecnología NCF es una "solución óptima" para los productos HBM y que se utilizaría en sus nuevos chips HBM3E. "Estamos llevando a cabo nuestro negocio de productos HBM3E según lo previsto", dijo Samsung en respuesta a las preguntas de Reuters sobre el artículo.
Tras la publicación del artículo, Samsung emitió un comunicado en el que afirmaba que "los rumores de que Samsung aplicará MR-MUF a su producción de HBM no son ciertos".
La HBM3 y la HBM3E son las versiones más recientes de chips de memoria de gran ancho de banda que se combinan con chips de microprocesadores centrales para ayudar a procesar grandes cantidades de datos en la IA generativa.
El rendimiento de la producción de chips HBM3 de Samsung se sitúa en torno al 10-20%, por detrás de SK Hynix, que ha conseguido unos índices de rendimiento del 60-70% para su producción de HBM3, según varios analistas.
Según una de las fuentes, Samsung ya está en conversaciones con fabricantes de materiales, entre ellos la japonesa Nagase, para abastecerse de materiales de HBM. Pero es poco probable que la producción en masa de los chips de gama alta que utilizan MUF esté lista hasta el año que viene como muy pronto, ya que Samsung necesita realizar más pruebas, añadió la persona.
Las tres fuentes mencionadas también afirmaron que Samsung planea utilizar tanto la técnica NCF como la MUF para su último chip HBM.
Todas las fuentes hablaron bajo condición de anonimato, ya que la información no es pública.
Nvidia y Nagase declinaron hacer comentarios.
Cualquier movimiento de Samsung para utilizar MUF subrayaría la creciente presión a la que se enfrenta en la carrera de los chips de IA, con el mercado de chips HBM, según la firma de investigación TrendForce, que se espera que se duplique con creces este año hasta casi 9.000 millones de dólares en medio de la demanda relacionada con la IA.
NCF VERSUS MUF
La tecnología de fabricación de chips con película no conductora ha sido muy utilizada por los fabricantes de chips para apilar varias capas de chips en un chipset compacto de memoria de gran ancho de banda, ya que el uso de una película fina comprimida térmicamente ayuda a minimizar el espacio entre los chips apilados.
Pero a menudo surgen problemas relacionados con los materiales adhesivos, ya que la fabricación se complica a medida que se añaden más capas. Samsung afirma que su último chip HBM3E tiene 12 capas de chips. Los fabricantes de chips han estado buscando alternativas para solucionar estos puntos débiles.
SK Hynix se pasó con éxito a la técnica de bajo relleno moldeado por reflujo masivo antes que otros, convirtiéndose en el primer proveedor en suministrar chips HBM3 a Nvidia.
La cuota de mercado de SK Hynix en HBM3 y productos HBM más avanzados para Nvidia se estima por encima del 80% este año, según Jeff Kim, analista de KB Securities.
Micron se unió a la carrera de los chips de memoria de gran ancho de banda el mes pasado, anunciando que su último chip HBM3E será adoptado por Nvidia para alimentar los chips Tensor H200 de esta última, que comenzarán a comercializarse en el segundo trimestre.
La serie HBM3 de Samsung aún no ha superado la calificación de Nvidia para los acuerdos de suministro, según una de las cuatro fuentes y otra persona con conocimiento de la discusión.
Su retroceso en la carrera de los chips de IA también ha sido notado por los inversores, ya que sus acciones han caído un 7% este año, por detrás de SK Hynix y Micron, que han subido un 17% y un 14%, respectivamente.
El miércoles, las acciones de SK Hynix cayeron un 2%, mientras que las de Samsung subieron un 1%, superando la subida del 0,4% del mercado en general. (Reportaje de Heekyong Yang, Joyce Lee en Seúl, Fanny Potkin en Singapur, Sam Nussey en Tokio y Max Cherney en San Francisco; Edición de Miyoung Kim y Himani Sarkar)
