STMicroelectronics y Sanan Optoelectronics han anunciado que han firmado un acuerdo para crear una nueva empresa conjunta de fabricación de dispositivos de carburo de silicio de 200 mm en Chongqing, China. El objetivo de la nueva fábrica de SiC es iniciar la producción en el cuarto trimestre de 2025 y se prevé que esté totalmente terminada en 2028, para apoyar la creciente demanda en China de electrificación de automóviles, así como de aplicaciones industriales de potencia y energía. Paralelamente, Sanan Optoelectronics construirá y operará por separado una nueva planta de fabricación de sustratos de SiC de 200 mm para satisfacer las necesidades de la JV, utilizando su propio proceso de sustrato de SiC.

La JV fabricará dispositivos de SiC exclusivamente para STMicroelectronics, utilizando la tecnología de proceso de fabricación de SiC propiedad de ST, y servirá como fundición dedicada a ST para atender la demanda de sus clientes chinos. Se espera que el importe total de la construcción completa de la JV ascienda a unos 3.200 millones de dólares, incluidos unos gastos de capital de unos 2.400 millones de dólares en los próximos 5 años, que se financiarán mediante aportaciones de STMicroelectronics y SananOptoelectronics, ayudas del gobierno local y préstamos a la JV. La realización del proyecto está sujeta a las aprobaciones reglamentarias.