SK hynix Inc. ha anunciado que ha comenzado la producción en volumen de HBM3E, el producto de memoria de IA más novedoso con un rendimiento ultraelevado, para suministrarlo a un cliente a partir de finales de marzo. La empresa hizo público su éxito con el desarrollo de la HBM3E hace apenas siete meses. HBM (memoria de alto ancho de banda): Una memoria de alto valor y alto rendimiento que interconecta verticalmente varios chips DRAM y aumenta drásticamente la velocidad de procesamiento de datos en comparación con los productos DRAM convencionales.

HBM3E, la versión ampliada de HBM3, es la quinta generación de HBM tras HBM, HBM2, HBM2E y HBM3. Al ser SK hynix el primer proveedor de HBM3E, un producto con los chips DRAM de mejor rendimiento, amplía su éxito anterior con HBM3. La empresa espera que el éxito de la producción en volumen de HBM3E, junto con su experiencia también como primer proveedor de HBM3 de la industria, ayude a consolidar su liderazgo en el espacio de la memoria de IA.

Para construir con éxito un sistema de IA que procese con rapidez una enorme cantidad de datos, un paquete de semiconductores debe estar compuesto de forma que numerosos procesadores y memorias de IA estén multiconectados. Las grandes empresas tecnológicas mundiales exigen cada vez más un mayor rendimiento de los semiconductores de IA y SK hynix espera que su HBM3E sea la elección óptima que satisfaga esas crecientes expectativas. El último producto es el mejor de la industria en todos los aspectos requeridos para una memoria de IA, incluyendo la velocidad y el control del calor.

Procesa hasta 1,18 TB de datos por segundo, lo que equivale a procesar más de 230 películas full-HD (de 5 GB cada una), en un segundo. Dado que la memoria de IA funciona a una velocidad extremadamente alta, el control del calor es otra cualificación clave necesaria para las memorias de IA. La HBM3E de SK hynix también viene con una mejora del 10% en el rendimiento de disipación del calor, en comparación con la generación anterior, tras la aplicación del avanzado proceso MR-MUF.

MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill): El proceso de apilar chips semiconductores, inyectar materiales protectores líquidos entre ellos para proteger el circuito entre chips y endurecerlos. El proceso ha demostrado ser más eficiente y eficaz para la disipación del calor, en comparación con el método de colocación de materiales tipo película para cada pila de chips. La avanzada tecnología MR-MUF de SK hynix es fundamental para garantizar una producción en masa estable en el lado del suministro del ecosistema HBM, ya que se puede reducir la presión sobre los chips que se apilan, al tiempo que el control del alabeo también mejora con la adopción de este proceso.