SK hynix Inc. ha anunciado que ha desarrollado un producto NAND Flash de 238 capas. La empresa ha enviado recientemente muestras del producto NAND 4D de triple célula de nivel (TLC) de 238 Gb a los clientes, con un plan para iniciar la producción en masa en la primera mitad de 2023. Célula de triple nivel (TLC): Los productos NAND Flash se clasifican en célula de nivel único, célula de nivel múltiple, célula de nivel triple, célula de nivel cuádruple y célula de nivel pentagonal en función del número de información (unidad: bit) que contiene una sola célula.

Que una célula contenga más información significa que se pueden almacenar más datos en la misma extensión de área. La empresa desveló el desarrollo del último producto en la Cumbre de la Memoria Flash 2022 en Santa Clara. Flash Memory Summit (FMS): Es la mayor conferencia mundial de la industria de la memoria NAND Flash que se celebra cada año en Santa Clara.

Durante su discurso de apertura en el evento, SK hynix hizo un anuncio conjunto con Solidigm. Desde el desarrollo del producto NAND de 96 capas en 2018, SK hynix ha introducido una serie de productos 4D que superan a los productos 3D existentes. La empresa ha aplicado las tecnologías de flash de trampa de carga y de célula periférica para fabricar chips con estructuras 4D.

Los productos 4D tienen un área de celda más pequeña por unidad en comparación con los 3D, lo que supone una mayor eficiencia de producción. Charge Trap Flash (CTF): A diferencia de la compuerta flotante, que almacena las cargas eléctricas en conductores, la CTF almacena las cargas eléctricas en aislantes, lo que elimina las interferencias entre celdas, mejorando el rendimiento de lectura y escritura y reduciendo el área de la celda por unidad en comparación con la tecnología de compuerta flotante. Peri.

Bajo Célula (PUC): Una tecnología que maximiza la eficiencia de la producción colocando los circuitos periféricos bajo el conjunto de células. El producto, aunque alcanza las 238 capas, es la NAND más pequeña en tamaño, lo que significa que su productividad global ha aumentado en un 34% en comparación con la NAND de 176 capas, ya que se pueden producir más chips con mayor densidad por unidad de superficie a partir de cada oblea. La velocidad de transferencia de datos del producto de 238 capas es de 2,4 Gb por segundo, lo que supone un aumento del 50% respecto a la generación anterior.

El volumen de la energía consumida para la lectura de datos ha disminuido en un 21%, un logro que también cumple el compromiso ESG de la empresa. Los productos de 238 capas se adoptarán en primer lugar para las unidades SSD de cliente que se utilizan como dispositivos de almacenamiento para PC, antes de ofrecerse para smartphones y unidades SSD de alta capacidad para servidores más adelante. La empresa también introducirá el año que viene productos de 238 capas en 1 Terabit (Tb), con una densidad duplicada en comparación con el producto actual de 512 Gb.