Atomera Incorporated ha anunciado la disponibilidad de la versión 2.0 de su tecnología MSTcad (Mears Silicon Technology Computer-Aided Design), un conjunto de herramientas que proporciona sofisticados análisis sobre cómo la tecnología MST (Mears Silicon Technology) mejora los procesos de los semiconductores. Dado que los nuevos materiales son cada vez más importantes para hacer frente a los retos de la industria de los semiconductores, la última versión de MSTcad permite a las fundiciones de semiconductores, a los proveedores de CI sin fábrica y a las empresas de fabricación de dispositivos integrados (IDM) evaluar rápidamente las mejoras aportadas por MST. Al igual que su versión anterior 1.0, la nueva versión 2.0 de MSTcad sigue estando estrechamente acoplada a la solución Sentaurus TCAD de Synopsys y permite a los usuarios modelar los efectos físicos y eléctricos de MST utilizando los paquetes de simulación Sentaurus Process y Sentaurus Device, respectivamente. Las empresas de semiconductores buscan constantemente nuevas e innovadoras formas de exprimir de forma rápida y económica más capacidad de los procesos de fabricación actuales, y los nuevos materiales desempeñan un papel cada vez más importante. El reto es que la integración de materiales es un proceso iterativo que requiere muchas pruebas de silicio para recopilar datos y ajustar los parámetros. Este proceso no sólo es costoso, sino que puede llevar muchos meses de ejecución, sobre todo cuando se trata de introducir obleas de I+D en las fábricas actuales, cuya capacidad es limitada. Esto limita a los IDM en su evaluación de las diferentes opciones de materiales disponibles, como el MST. MSTcad 2.0 mejora la versión 1.0 al ofrecer un modelado verificado en silicio y una integración TCAD mejorada de las últimas películas MST de fabricación mejorada de Atomera. MSTcad proporciona información valiosa para los análisis detallados de los beneficios esperados en cuanto a margen bruto y contracción de la matriz gracias a las MST para múltiples nodos de proceso, desde los más avanzados gate-all-around (GAA) o nanosheets, hasta los FinFET, HKMG y los nodos planares heredados en tamaños de oblea de 300 mm y 200 mm. La versión 2.0 de MSTcad presenta las siguientes novedades Modelado ampliamente ampliado y verificado por el silicio de la interacción de MST con múltiples especies dopantes y defectos puntuales (autointersticiales y vacantes de silicio); Modelos explícitos para mejorar la estabilidad térmica de las últimas películas de fabricación mejorada de MST para recocidos térmicos inertes y oxidantes; Integración racionalizada de MSTcad en los proyectos existentes de Sentaurus TCAD, ahorrando tiempo y costes al cliente. La versión 2.0 de MSTcad está disponible en Atomera. Los usuarios actuales de la versión 1.0 de MSTcad pueden actualizarse a la versión 2.0 en cualquier momento.