Dai Nippon Printing Co., Ltd. ha iniciado el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras para semiconductores lógicos de generación de 2 nanómetros (10-9 metros) compatibles con la litografía ultravioleta extrema (EUV), el proceso de vanguardia para la fabricación de semiconductores. DNP también actuará como subcontratista y proporcionará la tecnología recién desarrollada a Rapidus Corporation (Rapidus), con sede en Tokio. Rapidus participa en el Proyecto de Investigación y Desarrollo de las Infraestructuras Mejoradas para los Sistemas de Información y Comunicación Post-5G impulsado por la Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales (NEDO).

La empresa ha reforzado su capacidad para fabricar semiconductores de vanguardia con alta productividad y calidad. Y en 2016, DNP fue el primer fabricante comercial de fotomáscaras del mundo en introducir la herramienta de escritura de máscaras multihaz (MBMW). En 2023, completó el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras para la litografía EUV de generación de 3 nm y comenzó el desarrollo de la tecnología de generación de 2 nm.

En respuesta a la necesidad de una mayor miniaturización, La empresa iniciará el desarrollo a gran escala de un proceso de fabricación de fotomáscaras para la litografía EUV de generación de 2-nm, incluyendo el funcionamiento de los sistemas de litografía de máscara de haz de electrones segunda y tercera en el año fiscal 2024. DNP planea poner en funcionamiento su segundo y tercer sistemas de litografía de máscara MBMW en el Año Fiscal 2024, acelerando el desarrollo de fotomáscaras para la litografía EUV de generación de 2-nm. DNP actuará como subcontratista en el Desarrollo de Tecnología Avanzada de Fabricación de Semiconductores (por encargo) de Rapidus como parte del proyecto de I+D de NEDO anteriormente mencionado.

Para el Año Fiscal 2025, DNP completará el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras para semiconductores lógicos de generación de 2 nm que admitan la litografía EUV. A partir del Año Fiscal 2026, la empresa impulsará el establecimiento de la tecnología de producción con vistas a iniciar la producción en masa en el Año Fiscal 2027. La empresa también ha iniciado el desarrollo con la vista puesta en la generación de 2 nm y más allá, y ha firmado un acuerdo con imec, una organización de investigación internacional de vanguardia con sede en Lovaina, Bélgica, para desarrollar conjuntamente fotomáscaras EUV de próxima generación.

DNP seguirá contribuyendo al crecimiento de la industria japonesa de semiconductores promoviendo el desarrollo en colaboración con diversos socios en el marco de la industria internacional de semiconductores.