IntelliEPI Inc. (Caimán) informa de los resultados del segundo trimestre finalizado el 30 de junio de 2021
25 de agosto 2021
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IntelliEPI Inc. (Caimán) ha anunciado los resultados del segundo trimestre que finalizó el 30 de junio de 2021. Para el segundo trimestre, la empresa anunció que las ventas fueron de 189,398 millones de TWD en comparación con los 161,082 millones de TWD de hace un año. Los ingresos de explotación fueron de 23,307 millones de TWD, frente a las pérdidas de explotación de 9,264 millones de TWD de hace un año. Los ingresos netos fueron de 25,353 millones de TWD, frente a las pérdidas netas de 7,969 millones de TWD de hace un año. El beneficio básico por acción fue de 0,71 TWD, frente a la pérdida básica por acción de 0,22 TWD de hace un año. El beneficio diluido por acción fue de 0,71 TWD. En el semestre, las ventas fueron de 341,380 millones de TWD, frente a los 311,570 millones de TWD de hace un año. Los ingresos de explotación fueron de 25,620 millones de TWD, frente a las pérdidas de explotación de 8,131 millones de TWD de hace un año. Los ingresos netos fueron de 27,265 millones de TWD, frente a las pérdidas netas de 5,708 millones de TWD de hace un año. El beneficio básico por acción fue de 0,76 TWD, frente a la pérdida básica por acción de 0,16 TWD de hace un año. El beneficio diluido por acción fue de 0,76 TWD.
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IntelliEPI Inc. (Caimán) es un holding con sede en las Islas Caimán de Intelligent Epitaxy Technology, Inc. La empresa suministra obleas EPI de semiconductores compuestos basados en epitaxia a las industrias electrónica y optoelectrónica. Proporciona a los clientes una gran variedad de estructuras EPI de electrónica y optoelectrónica cultivadas en arseniuro de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP). Sus productos basados en GaAs incluyen PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) y MHEMT. Sus productos basados en InP incluyen HBT (dopados con C, dopados con Be, GaAsSb), HEMT, RTT y RTD. Sus productos basados en Sb incluyen fotodetectores SLS de tipo II, HBT de InP a base de GaAsSb y sustratos de GaSb preparados para EPI. Sus productos optoelectrónicos incluyen fotodiodos de avalancha (APD), láseres (de 750 nm a 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, moduladores y láseres de cascada cuántica. Utiliza su tecnología de monitorización del crecimiento in situ en tiempo real en sistemas de epitaxia de haz molecular (MBE) para la fabricación de obleas EPI en sustratos de GaAs e InP.