Magnachip Semiconductor Corporation ha anunciado que la empresa ha lanzado cuatro nuevos transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) MXT LV, que utilizan la tecnología de canal supercorto, para ampliar aún más la gama de MOSFET MXT LV de séptima generación de Magnachip para circuitos de protección de baterías de dispositivos móviles. Super-Short Channel es la última tecnología de diseño de Magnachip para reducir el Ron (la resistencia de los MOSFET durante el funcionamiento en estado activado) acortando la longitud del canal entre la fuente y el drenaje. El Ron de estos nuevos MOSFET se ha reducido en un 24~40%, en comparación con las generaciones anteriores, y como resultado, se mejora el rendimiento de la baterÃa con bajas pérdidas de potencia cuando una baterÃa se está cargando o descargando.

Además, Magnachip ofrece un servicio de diseño personalizado para estos productos, basado en las especificaciones de la aplicación y las capacidades de la baterÃa, por lo que los tamaños de los MOSFET pueden reducirse entre un 5 y un 20% respectivamente. Con estas capacidades técnicas, diseño flexible y opciones de tamaño compacto, la gama ampliada de MOSFET MXT LV satisface los diversos requisitos técnicos de una amplia gama de dispositivos móviles, desde teléfonos plegables de alta gama hasta auriculares inalámbricos. Características del producto: Tecnología de zanja de silicio de 7ª generación; Ron reducido en aproximadamente un 24%~40% en comparación con las generaciones anteriores; Velocidad de conmutación mejorada gracias a la baja carga total de la puerta; Propiedades térmicas excepcionales; Soluciones para una amplia gama de dispositivos móviles.