Magnachip Semiconductor Corporation ha anunciado el lanzamiento de sus transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 1200 V y 650 V, diseñados para los calefactores de coeficiente de temperatura positivo (PTC) de los vehículos eléctricos (VE). Construidos sobre la tecnología de vanguardia Field Stop Trench de Magnachip, los recién presentados AMBQ40T120RFRTH (1200V) y AMBQ40T65PHRTH (650V) ofrecen un tiempo mínimo de resistencia al cortocircuito de 10us. Este notable nivel de robustez permite proteger los calefactores PTC de un fallo permanente en caso de condiciones de sobrecorriente.

Además, el grueso y gran disipador de calor del encapsulado TO-247 permite que estos nuevos IGBT destaquen en la disipación del calor. Por lo tanto, estos IGBT son muy adecuados para aplicaciones que requieren una gran potencia y eficacia, como los lados superior e inferior de los circuitos integrados de gestión de potencia de los calentadores PTC.