Mitsubishi Electric Corporation ha anunciado que comenzará a enviar muestras de su nuevo módulo semiconductor de potencia de SiC (carburo de silicio) completo de tipo NX para equipos industriales el 14 de junio. Se espera que el módulo, que reduce la inductancia interna e incorpora un chip de SiC de segunda generación, contribuya a la realización de equipos industriales más eficientes, pequeños y ligeros. Los semiconductores de potencia se utilizan cada vez más para convertir la energía eléctrica de forma más eficiente y contribuir así a reducir la huella de carbono de la sociedad mundial.

Las expectativas son especialmente altas para los semiconductores de potencia de SiC por su capacidad de reducir significativamente la pérdida de potencia. Se está ampliando la demanda de semiconductores de potencia de alta eficiencia capaces de mejorar la eficiencia de conversión de potencia de componentes como los inversores utilizados en equipos industriales. Mitsubishi Electric comenzó a lanzar módulos semiconductores de potencia equipados con chips de SiC en 2010.

El nuevo módulo, que cuenta con un chip de SiC de bajas pérdidas y una estructura de electrodos optimizada, reduce la inductancia interna en un 47% en comparación con su predecesor, lo que permite reducir la pérdida de potencia. El desarrollo de este producto de SiC ha contado con el apoyo parcial de la Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales (NEDO) de Japón. Características del producto: La estructura optimizada del electrodo y el chip de SiC contribuyen a que el equipo sea más eficiente, pequeño y ligero; Estructura del electrodo optimizada con electrodos laminados, etc.

para lograr una inductancia interna de 9nH, un 47% inferior a la del módulo existente.