Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de su NAND vertical (V-NAND) de 9ª generación con celda de triple nivel (TLC) de un terabit (Tb), consolidando así su liderazgo en el mercado de flash NAND. Con el tamaño de celda más pequeño de la industria y el molde más fino, Samsung mejoró la densidad de bits de la V-NAND de 9ª generación en aproximadamente un 50% en comparación con la V-Nand de 8ª generación. Se han aplicado nuevas innovaciones como la evitación de interferencias en las celdas y la prolongación de la vida útil de las celdas para mejorar la calidad y fiabilidad del producto, mientras que la eliminación de los orificios de los canales ficticios ha reducido significativamente el área plana de las celdas de memoria.

Además, la avanzada tecnología de "grabado de agujeros de canal" de Samsung muestra el liderazgo de la empresa en capacidades de proceso. Esta tecnología crea vías de electrones mediante el apilamiento de capas de molde y maximiza la productividad de la fabricación, ya que permite el taladrado simultáneo del mayor número de capas de celdas del sector en una estructura de doble apilamiento. A medida que aumenta el número de capas de celdas, la capacidad de perforar a través de un mayor número de celdas se vuelve esencial, lo que exige técnicas de grabado más sofisticadas.

La V- NAND de 9ª generación está equipada con la interfaz flash NAND de última generación, "Toggle 5.1", que permite aumentar la velocidad de entrada/salida de datos en un 33% hasta los 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto con esta nueva interfaz, Samsung planea consolidar su posición en el mercado de las SSD de alto rendimiento ampliando la compatibilidad con PCIe 5.0. El consumo de energía también se ha mejorado en un 10% con avances en el diseño de bajo consumo, en comparación con la generación anterior. A medida que la reducción del consumo de energía y de las emisiones de carbono se convierte en algo vital para los clientes, se espera que la V-SAND de 9ª generación de Samsung sea una solución óptima para las aplicaciones futuras.

Samsung ha iniciado este mes la producción en masa de la V-RAND de 9ª generación TLC de 1Tb, a la que seguirá el modelo de célula de cuatro niveles (QLC) en la segunda mitad de este año.