Intel Corp. y United Microelectronics Corporation han anunciado que colaborarán en el desarrollo de una plataforma de procesos de semiconductores de 12 nanómetros para abordar mercados de alto crecimiento como el de los móviles, la infraestructura de comunicaciones y las redes. El acuerdo a largo plazo aúna la capacidad de fabricación a escala de Intel en EE.UU. y la amplia experiencia de fundición de UMC en nodos maduros para hacer posible una cartera de procesos ampliada.

También ofrece a los clientes globales una mayor capacidad de elección en sus decisiones de aprovisionamiento con acceso a una cadena de suministro más diversificada geográficamente y resistente. El nodo de 12 nm utilizará la capacidad de fabricación de gran volumen de Intel en EE.UU. y su experiencia en el diseño de transistores FinFET, ofreciendo una sólida combinación de madurez, rendimiento y eficiencia energética. La producción se beneficiará notablemente de las décadas de liderazgo en procesos de UMC y de su historial a la hora de proporcionar a los clientes el kit de diseño de procesos (PDK) y asistencia en el diseño para prestar servicios de fundición de forma eficaz.

El nuevo nodo de proceso se desarrollará y fabricará en las Fabs 12, 22 y 32 del centro Ocotillo Technology Fabrication de Intel en Arizona. El aprovechamiento del equipo existente en estas fabricaciones reducirá significativamente los requisitos de inversión inicial y optimizará la utilización. Las dos empresas trabajarán para satisfacer la demanda de los clientes y cooperarán en la habilitación del diseño para apoyar el proceso de 12 nm mediante la habilitación de la automatización del diseño electrónico y las soluciones de propiedades intelectuales de los socios del ecosistema.

Se espera que la producción del proceso de 12 nm comience en 2027.