Everspin anuncia la ampliación de sus dispositivos STT-MRAM industriales
17 de octubre 2023 a las 11:00
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Everspin Technologies, Inc. ha anunciado la ampliación de su familia de productos industriales STT-MRAM de alta densidad, la EMxxLX. El producto EMxxLX, anunciado el año pasado, es la memoria persistente de mayor rendimiento disponible en la actualidad. Es ideal para sistemas electrónicos en los que la persistencia y la integridad de los datos, el bajo consumo, la baja latencia y la seguridad son primordiales, como el IoT industrial, la infraestructura de redes/empresas, la automatización y el control de procesos, la aeronáutica/aviónica, la medicina, los juegos y la configuración de FPGA.
La primera interfaz serie xSPI del sector basada en la exclusiva tecnología STT-MRAM de Everspin es la única memoria persistente disponible en el mercado con un ancho de banda total de lectura y escritura de 400 megabytes por segundo a través de ocho señales de E/S con una frecuencia de reloj de 200MHz. La nueva familia ampliada de dispositivos EMxxLX ofrece la más alta combinación de rendimiento, resistencia y retención y ahora está disponible en densidades de 4 a 64 megabits con un nuevo embalaje más pequeño para los productos de 4 a 16 megabits. El nuevo encapsulado DFN de 5 mm x 6 mm supone un ahorro de superficie del 37% respecto a la oferta existente.
Además de la nueva capacidad y el embalaje más pequeño, Everspin ofrece un rango de temperatura ampliado en los productos EMxxLX de -40°C a 105°C. La familia EMxxLX puede sustituir a soluciones alternativas, como SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM y dispositivos NOR flash. Everspin ya está realizando un muestreo de la opción de 4Mb de capacidad con el encapsulado DFN más pequeño, con una producción prevista para el primer trimestre de 2024. Las opciones de 8Mb a 64Mb de capacidad con el rango de temperatura ampliado ya están disponibles para pedidos de producción.
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Everspin Technologies, Inc. se dedica a suministrar soluciones de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM). Las soluciones MRAM de la empresa ofrecen una memoria no volátil con la velocidad y la resistencia de la memoria de acceso aleatorio (RAM) y permiten proteger los datos de misión crítica, especialmente en caso de interrupción o fallo del suministro eléctrico. Su cartera de tecnologías MRAM incluye Toggle MRAM y Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Los productos Toggle MRAM incluyen interfaces estándar de la industria, como las interfaces Paralela, Serial Peripheral Interface (SPI) y Quad SPI (QSPI). Su tecnología STT-MRAM ofrece productos en aplicaciones de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), SRAM y NOR Flash. Ofrece sus productos con interfaces derivadas DDR3 y DDR4, lo que facilita la sustitución de la DRAM respaldada por baterías por la STT-MRAM. Sus sensores de magnetorresistencia de túnel 3D (TMR) proporcionan una alta sensibilidad magnética en un único componente que realiza mediciones de campo magnético 3D en una solución monolítica.