Everspin Technologies, Inc. informa de los resultados del segundo trimestre y de los seis meses finalizados el 30 de junio de 2023
02 de agosto 2023 a las 22:08
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Everspin Technologies, Inc. ha comunicado los resultados del segundo trimestre y de los seis meses que finalizaron el 30 de junio de 2023. En el segundo trimestre, la empresa registró unos ingresos de 15,75 millones de USD, frente a los 14,71 millones de USD de hace un año. Los ingresos netos fueron de 3,89 millones de USD frente a los 1,67 millones de USD de hace un año. El beneficio básico por acción de las operaciones continuadas fue de 0,19 USD frente a los 0,08 USD de hace un año. El beneficio diluido por acción de las operaciones continuadas fue de 0,18 USD frente a los 0,08 USD de hace un año. En los seis meses, los ingresos fueron de 30,59 millones de dólares, frente a los 29,05 millones de hace un año. Los ingresos netos fueron de 4,65 millones de dólares, frente a los 3,61 millones de hace un año. El beneficio básico por acción de las operaciones continuadas fue de 0,23 USD frente a los 0,18 USD de hace un año. El beneficio diluido por acción de las operaciones continuadas fue de 0,22 USD frente a los 0,17 USD de hace un año.
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Everspin Technologies, Inc. se dedica a suministrar soluciones de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM). Las soluciones MRAM de la empresa ofrecen una memoria no volátil con la velocidad y la resistencia de la memoria de acceso aleatorio (RAM) y permiten proteger los datos de misión crítica, especialmente en caso de interrupción o fallo del suministro eléctrico. Su cartera de tecnologías MRAM incluye Toggle MRAM y Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Los productos Toggle MRAM incluyen interfaces estándar de la industria, como las interfaces Paralela, Serial Peripheral Interface (SPI) y Quad SPI (QSPI). Su tecnología STT-MRAM ofrece productos en aplicaciones de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), SRAM y NOR Flash. Ofrece sus productos con interfaces derivadas DDR3 y DDR4, lo que facilita la sustitución de la DRAM respaldada por baterías por la STT-MRAM. Sus sensores de magnetorresistencia de túnel 3D (TMR) proporcionan una alta sensibilidad magnética en un único componente que realiza mediciones de campo magnético 3D en una solución monolítica.
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