Navitas Semiconductor Corporation informa de los resultados del cuarto trimestre y del año completo finalizado el 31 de diciembre de 2023
29 de febrero 2024 a las 22:21
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Navitas Semiconductor Corporation ha comunicado los resultados del cuarto trimestre y del año completo finalizado el 31 de diciembre de 2023. En el cuarto trimestre, la empresa registró unas ventas de 26,06 millones de USD, frente a los 12,35 millones de USD de hace un año. La pérdida neta fue de 32,58 millones de USD frente a los 7,13 millones de USD de hace un año. La pérdida básica por acción de las operaciones continuadas fue de 0,18 USD frente a los 0,05 USD de hace un año. La pérdida diluida por acción de las operaciones continuadas fue de 0,18 USD frente a los 0,05 USD de hace un año. Para todo el año, las ventas fueron de 79,46 millones de USD frente a los 37,94 millones de USD de hace un año. La pérdida neta fue de 145,43 millones de USD, frente a los 73,91 millones de hace un año. La pérdida básica por acción de las operaciones continuadas fue de 0,86 USD, frente al beneficio básico por acción de las operaciones continuadas de 0,55 USD de hace un año. Las pérdidas diluidas por acción de las operaciones continuadas fueron de 0,86 dólares, frente a los beneficios diluidos por acción de las operaciones continuadas de 0,51 dólares de hace un año.
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Navitas Semiconductor Corporation es una empresa de semiconductores de potencia. La empresa se dedica al diseño, desarrollo y comercialización de semiconductores de potencia, incluidos circuitos integrados (CI) de potencia de nitruro de galio (GaN), dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC), controladores de sistemas de silicio asociados y aisladores digitales utilizados en la conversión y carga de energía. Las fuentes de alimentación que incorporan sus productos se utilizan en una gran variedad de productos electrónicos, como cargadores rápidos para teléfonos móviles y ordenadores portátiles, electrónica de consumo, centros de datos, inversores solares y vehículos eléctricos, entre otras numerosas aplicaciones. Sus circuitos integrados de potencia GaNFast integran potencia y accionamiento de GaN, con control, detección y protección para permitir una carga más rápida, una mayor densidad de potencia y el ahorro de energía. Sus dispositivos de potencia GeneSiC están optimizados con soluciones fiables de SiC. También ofrece una gama de MOSFET y diodos de SiC, que tienen menor resistencia a temperaturas más altas, 25 °C más fríos y una vida útil del dispositivo tres veces más larga.