Navitas Semiconductor Corporation anunció la primera de una serie de inversiones estratégicas en fabricación, para aumentar el control, reducir los costes y mejorar la capacidad de ingresos de sus semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) GeneSiC.
Una inversión inicial de 20 millones de dólares habilita una instalación de crecimiento epitaxial de SiC de tres reactores en la sede de la empresa en Torrance, California. La adición de una capa epitaxial de SiC sobre una oblea de SiC en bruto es el primer paso en la fabricación de dispositivos de potencia de SiC individuales. Se espera que el primer reactor de epitaxia AIXTRON G10-SiC, con capacidad para obleas de 6o y 8o, esté totalmente cualificado y en producción en 2024. Navitas considera los servicios de epitaxia que prestará su nueva instalación como un paso crítico del proceso que podría respaldar hasta 200 millones de dólares adicionales en producción anual. La empresa espera seguir recurriendo a proveedores externos para las operaciones adicionales de epi-crecimiento, fabricación de obleas y ensamblaje.