STMicroelectronics y Soitec han anunciado la siguiente fase de su cooperación en materia de sustratos de carburo de silicio (SiC), con la cualificación de la tecnología de sustratos de SiC de Soitec por parte de ST prevista para los próximos 18 meses. El objetivo de esta cooperación es la adopción por parte de ST de la tecnología SmartSiC de Soitec para su futura fabricación de sustratos de 200 mm, alimentando su negocio de fabricación de dispositivos y módulos, con una producción en volumen prevista a medio plazo. El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto disruptivo con propiedades intrínsecas que proporcionan un rendimiento y una eficiencia superiores a los del silicio en aplicaciones energéticas clave y de gran crecimiento para la movilidad eléctrica y los procesos industriales, entre otros.

Permite una conversión de energía más eficiente, diseños más ligeros y compactos, y un ahorro general de costes en el diseño del sistema u todos los parámetros y factores clave para el éxito en los sistemas de automoción e industriales. La transición de las obleas de 150 mm a las de 200 mm permitirá un aumento sustancial de la capacidad, con casi el doble de superficie útil para la fabricación de circuitos integrados, proporcionando 1,8 u 1,9 veces más chips de trabajo por oblea.