STMicroelectronics ha anunciado que construirá una planta de fabricación de sustrato de carburo de silicio (SiC) en Italia para apoyar la creciente demanda de los clientes de ST de dispositivos de SiC en aplicaciones industriales y de automoción a medida que se produce la transición a la electrificación y se busca una mayor eficiencia. Se espera que la producción comience en 2023, lo que permitirá un suministro equilibrado de sustrato de SiC entre el suministro interno y el comercial. La planta de fabricación de sustratos de SiC, construida en la sede de ST en Catania (Italia) junto a la actual planta de fabricación de dispositivos de SiC, será la primera de su clase en Europa para la producción en volumen de sustratos epitaxiales de SiC de 150 mm, integrando todos los pasos del flujo de producción.

ST se ha comprometido a desarrollar obleas de 200 mm en un futuro próximo. Este proyecto es un paso clave en el avance de la estrategia de integración vertical de ST para su negocio de SiC. La inversión de €730 millones a lo largo de cinco años será apoyada financieramente por el Estado de Italia en el marco del Plan Nacional de Recuperación y Resiliencia y creará alrededor de 700 puestos de trabajo adicionales directos a pleno rendimiento.

Los productos STPOWER SiC de vanguardia y gran volumen se fabrican actualmente en sus fábricas de Catania y Ang Mo Kio (Singapur). El ensamblaje y las pruebas se realizan en los centros de Shenzhen (China) y Bouskoura (Marruecos). La inversión en esta planta de fabricación de sustratos de SiC se basa en esta experiencia y es un hito importante en el camino de ST para alcanzar el 40% de abastecimiento interno de sustratos en 2024.