Transphorm, Inc. ha anunciado la disponibilidad de dos nuevos dispositivos SuperGaN®? en un encapsulado TO-247 de 4 terminales (TO-247-4L). Los nuevos FET TP65H035G4YS y TP65H050G4YS ofrecen una resistencia de encendido de 35 mOhm y 50 mOhm respectivamente, con un terminal de fuente kelvin que proporciona a los clientes capacidades de conmutación versátiles con pérdidas de energía aún menores.

Los nuevos productos funcionarán con el consolidado proceso de fabricación de sustratos de GaN sobre silicio de Transphorm, que es rentable, fiable y muy adecuado para la fabricación de grandes volúmenes en líneas de producción de silicio. El FET TP65H050G4ys de 50 mOhmios está disponible actualmente, mientras que el FET TP65H035G4ys de 35 mOhmios se encuentra en fase de muestreo y su lanzamiento está previsto para el primer trimestre de 2024. Los dispositivos SuperGaN de 4 terminales de Transphorm pueden servir como opción de diseño original o como sustitución directa de las soluciones de silicio y SiC de 4 terminales que soportan fuentes de alimentación de 1 kilovatio o más en una amplia gama de centros de datos, energías renovables y aplicaciones industriales generales.

Como se ha señalado, la configuración de 4 terminales ofrece flexibilidad a los usuarios para mejorar aún más el rendimiento de conmutación. En un convertidor elevador síncrono de conmutación dura, el FET SuperGaN de 4 terminales y 35 mOhmios redujo las pérdidas en un 15% a 50 kilohercios (kHz) y en un 27% a 100 kHz en comparación con un dispositivo MOSFET de SiC con una resistencia de encendido comparable. Los FET SuperGaN de Transphorm son conocidos por ofrecer ventajas diferenciadoras como: Robustez líder en la industria con un umbral de puerta de +/- 20 V y una inmunidad al ruido de 4 V.

Mayor facilidad de diseño al reducir la cantidad de circuitos necesarios alrededor del dispositivo. Mayor facilidad de accionamiento, ya que los FET pueden emparejarse con controladores conocidos y comunes a los dispositivos de silicio. Los dispositivos TO-247-4L ofrecen la misma robustez, capacidad de diseño y manejabilidad con las siguientes especificaciones básicas: Número de pieza: Vds (V) min; Rds(on) (mO) typ; Vth (V) typ; ID (25degC) (A) max; Package Variation.TP65H035G4YS: TP65H035G4Y: 650 mOhm.

650 mOhm.