Transphorm, Inc. presentó el SuperGaN®? TOLT FET. Con una resistencia de activación de 72 miliohmios, el transistor TP65H070G4RS es el primer dispositivo de GaN de montaje superficial refrigerado por la parte superior de la industria en el encapsulado TOLT estándar JEDEC (MO-332).

El encapsulado TOLT ofrece flexibilidad de gestión térmica a los clientes cuyos requisitos de sistema no permiten los dispositivos de montaje superficial más convencionales con refrigeración por la parte inferior. El rendimiento térmico del encapsulado TOLT es similar al de los encapsulados TO-247 de orificio pasante, térmicamente robustos y ampliamente utilizados, y ofrece la ventaja añadida de unos procesos de fabricación muy eficientes gracias al ensamblaje de placas de circuito impreso (PCBA) basado en SMD. El TP65H070G4 RS aprovecha la robusta plataforma de GaN en modo d de 650 voltios normalmente apagado de alto rendimiento de Transphorm, que ofrece una eficiencia mejorada con respecto al silicio, el carburo de silicio y otras ofertas de GaN gracias a una menor carga de puerta, capacitancia de salida, pérdida de cruce, carga de recuperación inversa y resistencia dinámica.

Las ventajas de la plataforma SuperGaN combinadas con las mejores térmicas del TOLT y la flexibilidad de ensamblaje del sistema dan como resultado una solución de GaN de alto rendimiento y alta fiabilidad para los clientes que buscan sacar al mercado sistemas de potencia con mayor densidad de potencia y eficiencia a un coste global del sistema de potencia más bajo. Transphorm está comprometida con múltiples socios globales para el GaN de alta potencia, incluyendo clientes líderes en alimentación de servidores y almacenamiento, un líder global en el espacio de energía/microinversores, un fabricante innovador de soluciones de alimentación fuera de la red y un líder en comunicaciones por satélite. El lanzamiento de este producto llega tras la reciente presentación por parte de Transphorm de sus tres nuevos FET TOLT.

La incorporación del TOLT amplía de nuevo la oferta de productos de la empresa. Su disponibilidad pone de relieve el compromiso de Transphorm de apoyar las preferencias de los clientes haciendo que su plataforma SuperGaN sea accesible en varios paquetes en el rango de potencia más amplio. Especificaciones del dispositivo Los dispositivos SuperGaN lideran el mercado con una inigualable: Fiabilidad a < 0,05 FIT; Margen de seguridad de la puerta a +- 20 V; Inmunidad al ruido a 4 V; Coeficiente de resistencia a la temperatura (TCR) un 20% inferior al GaN en modo e normalmente apagado; Flexibilidad de accionamiento con controladores de silicio estándar disponibles en el mercado.

El robusto dispositivo SuperGaN TOLT de 650 V cuenta con la cualificación JEDEC. Dado que la plataforma de modo d normalmente desactivado empareja el HEMT de GaN con un MOSFET de silicio de baja tensión integrado, los FET SuperGaN son fáciles de accionar con controladores de puerta estándar. Pueden utilizarse en diversas topologías de conmutación dura y suave de CA a CC, de CC a CC y de CC a CA para aumentar la densidad de potencia y reducir al mismo tiempo el tamaño, el peso y el coste total del sistema.

Pieza Dimensiones (mm) RDS(on) (mO) typ RDS(on) (mO) max Vth (V) typ Id (25degC) (A) maxTP65H070G4RS 10 x 15 85 4 29 29. Disponibilidad y recursos de apoyo: Los dispositivos TP65H070G 4RS SuperGaN TOLT están actualmente disponibles para muestras. El dispositivo TP65H070G fourRS SuperGaN TOL TOL está actualmente disponible para muestras.

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