Transphorm, Inc. ha anunciado la disponibilidad de dos nuevos diseños de referencia para aplicaciones de carga de vehículos eléctricos (VE). Los cargadores de baterías de corriente constante/tensión constante (CC/CV) de 300 W y 600 W utilizan los dispositivos SuperGaN® de 70 y 150 miliohmios de la empresa para ofrecer una conversión de potencia de CA a CC muy eficaz con una alta densidad de potencia a costes competitivos. Los diseños de referencia están pensados para permitir la producción en gran volumen de cargadores para vehículos eléctricos de 2 y 3 ruedas, de los que se venden más de 14 millones y más de 45 millones al año en India y China respectivamente.

Los diseños de referencia también pueden utilizarse para diversas aplicaciones, como la carga rápida, los controladores LED regulables, las consolas de juegos y los portátiles de alto rendimiento. Cargadores de baterías CC/CV de CA a CC de bastidor abierto: Los diseños de referencia de 300 W y 600 W emparejan los FET SuperGaN y los controladores en las populares topologías de corrección del factor de potencia (PFC) y LLC resonante, estando la LLC específicamente diseñada para un amplio rango de baterías (desde vacías a plena carga). La plataforma SuperGaN de Transphorm permite a los desarrolladores de sistemas de alimentación maximizar el potencial de rendimiento del PFC+LLC, ofreciendo la mayor eficiencia posible de estas topologías a un coste competitivo.

Los diseños de referencia utilizan controladores puramente analógicos frente a controladores digitales que requieren firmware. Esta configuración ofrece varias ventajas, como una mayor facilidad de diseño y una simplificación del desarrollo del producto impulsada por: Reducción de los requisitos de recursos de desarrollo; Reducción del tiempo de desarrollo; Eliminación de la necesidad de programación/mantenimiento de firmware potencialmente complejo. Nota: El diseño de referencia de 300 W incluye un puerto de entrada PWM adicional para solicitar niveles de corriente de salida inferiores al valor nominal de salida, lo que permite una mayor flexibilidad para todas las químicas de batería.

Los diseños de referencia aprovechan los FET SuperGaN de Transphorm conocidos por ofrecer ventajas diferenciadoras como: Robustez líder en la industria con un umbral de puerta de +/- 20 V y una inmunidad al ruido de 4 V; Mayor facilidad de diseño al reducir la cantidad de circuitos necesarios alrededor del dispositivo; Mayor facilidad de accionamiento, ya que los FET pueden emparejarse con controladores conocidos y comunes a los dispositivos de silicio.