Worksport Ltd. anunció su movimiento estratégico para integrar semiconductores de nitruro de galio (?GaN?) en sus próximas ofertas de productos. Al elegir los semiconductores GaN en lugar de los chips basados en silicio, más extendidos y que alimentan incluso al líder en chips de IA, NVIDIA Corporation (?NVIDIA?), Worksport se ha embarcado en un viaje innovador para llevar su tecnología a nuevas cotas con varias asociaciones, incluida una anunciada recientemente con Infineon Technologies AG, que es uno de los principales productores de semiconductores GaN. La silicona ha sido el material dominante para la fabricación de semiconductores durante décadas debido a su amplia disponibilidad y facilidad de procesamiento.

NVIDIA construyó su dominio de la industria sobre semiconductores basados en silicio en sus GPU. La contribución de NVIDIA a la industria de los semiconductores y la informática es innegable, pero el mundo, sin embargo, se está acercando al límite teórico de cuánto más se puede mejorar la tecnología basada en el silicio. Consciente de ello, el objetivo de Worksport es ampliar los límites de la innovación en semiconductores integrando el GaN en las futuras versiones de sus sistemas COR de generación de baterías para móviles. Este movimiento está motivado por el potencial del GaN para proporcionar un rendimiento superior, una mayor eficiencia y un tamaño y peso reducidos en comparación con las soluciones convencionales.

En comparación con los de silicio, los interruptores de potencia basados en GaN presentan capacitancias globales más bajas, especialmente si se tiene en cuenta que no tienen un diodo de cuerpo antiparalelo. Por tanto, los interruptores de GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas y menores pérdidas de potencia. El GaN también es capaz de soportar temperaturas más elevadas que el silicio.

Worksport cree que el uso de semiconductores GaN elevará el listón de la eficiencia, la gestión térmica y el rendimiento. Además, los semiconductores GaN son dispositivos de banda ancha, lo que les permite soportar tensiones mucho más elevadas que los dispositivos basados en el silicio y, al mismo tiempo, asumir paquetes más pequeños. Esta característica puede dar lugar a convertidores de potencia con una densidad de potencia muy superior a la que suele encontrarse en los conmutadores basados en silicio.

Al aprovechar la tecnología GaN, Worksport cree que sus futuros productos podrán ofrecer un rendimiento inigualable y, al mismo tiempo, consumir menos energía, lo que se traducirá en una mayor duración de la batería gracias a la mayor eficiencia de los convertidores de potencia. Además, debido a la mayor eficiencia de los semiconductores GaN, los convertidores de potencia basados en GaN irradian menos calor y tienen menores requisitos de refrigeración y una menor necesidad de ventiladores de refrigeración, lo que lleva a la empresa a creer que podría hacer más compacta su electrónica de potencia.

Además, Worksport cree que utilizando semiconductores de GAN podrá crear dispositivos más fiables y duraderos, reduciendo al mismo tiempo el riesgo de sobrecalentamiento y degradación del rendimiento.