Archer Materials Limited anunció a los accionistas que la empresa ha avanzado en el desarrollo de su tecnología de biochips mediante el control electrónico de la sensibilidad de los dispositivos transistores de efecto de campo de grafeno incorporados. La empresa ha abordado el reto fundamental de interrumpir el cribado electrónico de la carga que atenúa las señales de biosensibilidad en los gFET. El desarrollo allana el camino para que la unión específica de biomoléculas contribuya a las respuestas utilizables de los sensores gFET, y constituye un hito tecnológico significativo hacia la función y el funcionamiento del biochip de Archer. La capa de cribado es inferior a 1 nanómetro (nm) en los líquidos biológicamente relevantes y, por lo general, la detección electrónica más allá de esta distancia es imposible. Para que la detección funcione en el biochip de Archer, la carga del analito no debe tamizarse, ya que la mayoría de los analitos biológicos tienen un tamaño de entre 2 y 30 nm, es decir, la mayor parte de su carga está fuera del rango de sensibilidad del gFET en los líquidos. Superar este reto tecnológico es un paso importante para avanzar hacia un dispositivo de biosensado funcional y operativo como parte de la tecnología de biochips de Archer, ya que es fundamental para la detección selectiva
de las moléculas diana. Archer ha empleado ahora una estrategia de diseño del sensor que implica el uso de una serie de campos eléctricos dinámicos para librar al sensor gFET de las interferencias de señal causadas por la capa de cribado e introducir sensibilidades prácticas de funcionamiento del dispositivo. Archer desarrolló el software e incorporó el hardware a la plataforma del sistema biochip que permite a la empresa lograr la modulación electrónica y el ajuste de la sensibilidad del gFET. El personal de Archer realizó mediciones en el rango de las bajas frecuencias, que son relevantes para la penetración de fluidos biológicos. Los resultados mostraron un aumento de 3 veces en la sensibilidad del gFET a los analitos objetivo en comparación con el caso estático sin voltaje oscilante. En el contexto de la superación del cribado de carga en los dispositivos gFET, el aumento de 3x en la sensibilidad es significativo.