El Instituto de Microelectrónica y Soitec desarrollarán la próxima generación de semiconductores de carburo de silicio
10 de enero 2022 a las 07:00
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El Instituto de Microelectrónica (IME) de la Agencia para la Ciencia, la Tecnología y la Investigación (A*STAR) y Soitec (Euronext París) han anunciado una colaboración en materia de investigación para desarrollar dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC) de próxima generación para alimentar vehículos eléctricos y dispositivos electrónicos avanzados de alto voltaje. En el marco de esta colaboración, las partes aprovecharán las tecnologías propias de Soitec, como Smart Cut, y la línea de producción piloto de IME para crear sustratos semiconductores de SiC de 200 mm de diámetro. La investigación conjunta contribuirá al desarrollo de un ecosistema holístico de SiC e impulsará las capacidades de fabricación de semiconductores en Singapur y la región. Está previsto que la colaboración en materia de investigación se prolongue hasta mediados de 2024, y tiene como objetivo alcanzar los siguientes resultados Desarrollar procesos de epitaxia de SiC y de fabricación de transistores semiconductores de campo (MOSFET) para sustratos de SiC de corte inteligente con el fin de producir transistores de microchips de mayor calidad, con menos defectos y mayor rendimiento durante el proceso de fabricación. Establecer un punto de referencia para los dispositivos MOSFET de potencia de SiC fabricados en sustratos de SiC de corte inteligente y demostrar las ventajas del proceso con los sustratos convencionales a granel. A*STARs IME cuenta con capacidades en integración heterogénea, sistema en paquete, sensores, actuadores y microsistemas, radiofrecuencia y ondas milimétricas, electrónica de potencia de SiC/GaN sobre SiC y tecnología médica. La línea piloto de SiC de 8 pulgadas que está estableciendo tiene como objetivo validar los procesos y herramientas de fabricación de 8 pulgadas a escala de línea piloto antes de poder realizar la transición a la fabricación de 8 pulgadas en gran volumen. Uno de los objetivos de este programa es llevar a cabo una I+D aplicada a los procesos y materiales innovadores de los MOSFET de SiC, como los sustratos de SiC de corte inteligente de Soitec, para preparar a la industria para la fabricación de SiC de próxima generación.
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Soitec es líder mundial en la fabricación y comercialización de materiales semiconductores innovadores para los sectores electrónico y energético. Con más de 4.000 patentes, el grupo persigue una estrategia de innovación disruptiva para ofrecer a sus clientes productos que combinen rendimiento, eficiencia energética y competitividad. Soitec opera plantas de fabricación industrial, centros de I+D y oficinas de ventas en Europa, Estados Unidos y Asia.