Diodes Incorporated (Diodes) presenta la última incorporación a su cartera de productos de carburo de silicio (SiC): el MOSFET de SiC de canal N DMWS120H100SM4. Este dispositivo responde a la demanda de mayor eficiencia y densidad de potencia para aplicaciones como accionamientos de motores industriales, inversores solares, fuentes de alimentación para centros de datos y telecomunicaciones, convertidores CC-CC y cargadores de baterías de vehículos eléctricos (VE). El DMWS120H100SM4 funciona a un alto voltaje (1200V) y corriente de drenaje (hasta 37A) manteniendo una baja conductividad térmica (R?JC = 0,6°C/W), lo que lo hace muy adecuado para aplicaciones que funcionan en entornos difíciles.

Este MOSFET tiene un bajo RDS(ON) (típico) de sólo 80m? (para un accionamiento de puerta de 15V) para minimizar las pérdidas de conducción y proporcionar una mayor eficiencia. Además, el dispositivo tiene una carga de puerta de sólo 52nC para reducir las pérdidas por conmutación y disminuir la temperatura del encapsulado.

Este producto es el primer MOSFET de SiC del mercado en un encapsulado TO247-4. La patilla de detección Kelvin adicional puede conectarse a la fuente del MOSFET para optimizar el rendimiento de conmutación, permitiendo así densidades de potencia aún mayores.