Renesas Electronics Corporation ha anunciado un nuevo CI controlador de puerta diseñado para controlar dispositivos de potencia de alto voltaje como los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) y los MOSFET de SiC (carburo de silicio) para inversores de vehículos eléctricos (VE). Los CI de controlador de puerta son componentes esenciales para los inversores de los VE, ya que proporcionan una interfaz entre la MCU de control del inversor y los IGBT y MOSFET de SiC que suministran energía al inversor. Reciben señales de control de la MCU en el dominio de baja tensión y transfieren estas señales para encender y apagar rápidamente los dispositivos de potencia en el dominio de alta tensión.

Para adaptarse a los voltajes más altos de las baterías de los vehículos eléctricos, el RAJ2930004AGM lleva incorporado un aislador de 3,75 kVrms (kV cuadrático medio), que es superior al aislador de 2,5 kVrms de la generación anterior del producto, y puede soportar dispositivos de potencia con un voltaje soportado de hasta 1200V. Además, el nuevo circuito integrado del excitador presenta un rendimiento CMTI (inmunidad al transitorio en modo común) superior a 150 V/ns (nanosegundo) o más, lo que proporciona una comunicación fiable y una mayor inmunidad al ruido, al tiempo que satisface las altas tensiones y las rápidas velocidades de conmutación que requieren los sistemas de inversores. El nuevo producto ofrece las funciones básicas de un controlador de puerta en un pequeño encapsulado SOIC16, lo que lo hace ideal para sistemas inversores rentables. El RAJ2930004AGM puede utilizarse junto con los IGBT de Renesas, así como con IGBT y MOSFET de SiC de otros fabricantes. Además de los inversores de tracción, el CI controlador de puerta es ideal para una amplia gama de aplicaciones que utilizan semiconductores de potencia, como cargadores de a bordo y convertidores CC/CC.

Para ayudar a los desarrolladores a lanzar sus productos al mercado con rapidez, Renesas ofrece la solución xEV Inverter Kit que combina los CI de controlador de puerta con MCU, IGBT e CI de gestión de potencia, y tiene previsto lanzar una versión que incorpore el nuevo CI de controlador de puerta en el primer semestre de 2023. Características principales del CI controlador de puerta RAJ2930004AGM: Capacidad de aislamiento: Tensión de aislamiento soportada: 3,75kVrms; CMTI (Inmunidad a transitorios en modo común): 150V/ns; Capacidades de accionamiento de la puerta: Corriente de pico de salida: 10A; Funciones de protección/detección de fallos; Pinza Miller activa en chip; Apagado suave; Protección contra sobrecorriente (protección DESAT); Bloqueo por bajo voltaje (UVLO); Retroalimentación de fallos; y Rango de temperatura de funcionamiento: -40 a 125°C (Tj:150°C máx.). Este producto contribuirá a aumentar la adopción de los VE al realizar inversores rentables, minimizando así el impacto medioambiental.

Disponibilidad: El CI controlador de puerta RAJ2930004AGM está disponible en cantidades de muestra con producción en masa prevista para el primer trimestre de 2024.