Transphorm, Inc. informa de los resultados del tercer trimestre y de los nueve meses finalizados el 31 de diciembre de 2023
20 de febrero 2024 a las 22:15
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Transphorm, Inc. ha comunicado los resultados del tercer trimestre y de los nueve meses finalizados el 31 de diciembre de 2023. En el tercer trimestre, la empresa registró unas ventas de 4,67 millones de USD frente a los 4,49 millones de USD de hace un año. La pérdida neta fue de 10 millones de dólares, frente a los 10,46 millones de hace un año. La pérdida básica por acción de las operaciones continuadas fue de 0,2 USD frente a los 0,18 USD de hace un año. La pérdida diluida por acción de las operaciones continuadas fue de 0,2 USD frente a los 0,18 USD de hace un año. En los nueve meses, las ventas fueron de 15,56 millones de dólares, frente a los 13,32 millones de hace un año. La pérdida neta fue de 24,58 millones de USD frente a los 21,81 millones de hace un año. La pérdida básica por acción de las operaciones continuadas fue de 0,54 USD frente a los 0,38 USD de hace un año. La pérdida diluida por acción de las operaciones continuadas fue de 0,54 USD frente a los 0,38 USD de hace un año.
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Transphorm Technology, Inc. es una empresa mundial de semiconductores. La empresa desarrolla productos de nitruro de galio (GaN) para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. La plataforma Gen IV de la empresa ofrece ventajas tanto en el ensamblaje como en las aplicaciones, lo que constituye el catalizador de la marca SuperGaN. La tecnología GaN de la empresa beneficia a varios mercados. Las mayores tasas de adopción se prevén para las distintas áreas de aplicación, incluidas las fuentes de alimentación en infraestructuras y tecnología de la información (TI); adaptadores, fuentes de alimentación para juegos en consumo e informática; cargadores de baterías, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) en la industria en general; vehículos eléctricos, carga en automoción; y adaptadores móviles, material de radiofrecuencia (RF) en quinta generación (5G). Sus soluciones GaN admiten diversos niveles de potencia en toda la gama de aplicaciones. Su cartera de dispositivos incluye FET de 650 V y 900 V, con FET de 1200 V en desarrollo.
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