Transphorm, Inc. ha presentado tres FET de SuperGaN en encapsulados TOLL con resistencias de activación de 35, 50 y 72 miliohmios. La configuración del encapsulado TOLL de Transphorm es estándar en la industria, lo que significa que los FET SuperGaN TOLL pueden utilizarse como sustitutos directos de cualquier solución TOLL e-mode. Los nuevos dispositivos también ofrecen la fiabilidad probada de Transphorm en cuanto a resistencia a la conexión (conmutación) dinámica de alto voltaje, de la que suelen carecer las principales ofertas de GaN e-mode basadas en fundición. Los tres dispositivos de montaje superficial (SMD) soportan aplicaciones de mayor potencia que operan en un rango medio de 1 a 3 kilovatios.

Estos sistemas de potencia se encuentran normalmente en segmentos de alto rendimiento como la informática (IA, servidores, telecomunicaciones, centros de datos), la energía y la industria (inversores fotovoltaicos, servomotores) y otros amplios mercados industriales que, en conjunto, tienen un TAM global actual de GaN de 2.500 millones de dólares. En particular, los FET son soluciones óptimas para los sistemas de IA actuales, en rápida expansión, que dependen de GPU que requieren entre 10 y 15 veces la potencia de las CPU tradicionales. Los dispositivos GaN de alta potencia de Transphorm ya se suministran ampliamente a clientes líderes que los utilizan para alimentar sistemas de alto rendimiento en producción, incluidas fuentes de alimentación para centros de datos, fuentes de alimentación de alta potencia para juegos, SAI y microinversores.

Como todos los productos Transphorm, los dispositivos TOLL aprovechan las ventajas inherentes de rendimiento y fiabilidad que hace posible la plataforma SuperGaN en modo d normalmente desactivado. Si desea un análisis detallado de la competencia entre SuperGaN y GaN en modo e, descargue el último libro blanco de la empresa titulado Las ventajas fundamentales del GaN en modo d en configuración en cascada. La conclusión del libro blanco se alinea con una comparación directa publicada a principios de este año que muestra que los FET SuperGaN de 72 miliohmios superan a los dispositivos e-mode de 50 miliohmios más grandes en un cargador de portátil para juegos de 280 W disponible en el mercado.

Los dispositivos SuperGaN lideran el mercado con una inigualable Fiabilidad a < 0,03 FIT; Margen de seguridad de la puerta a +- 20 V; Inmunidad al ruido a 4 V; Coeficiente de resistencia a la temperatura (TCR) un 20% inferior al e-mode; Flexibilidad de accionamiento con controladores estándar y circuitos de protección fácilmente disponibles en controladores/conductores basados en silicio. Especificaciones del dispositivo: Los robustos dispositivos SuperGaN TOLL de 650 V cuentan con la homologación JEDEC. Dado que la plataforma de modo d normalmente desactivado empareja el HEMT de GaN con un MOSFET de silicio de bajo voltaje, los FET SuperGaN son fáciles de accionar con controladores de puerta de uso común disponibles en el mercado.

Pueden utilizarse en diversas topologías de conmutación dura y suave de CA a CC, de CC a CC y de CC a CA para aumentar la densidad de potencia y reducir al mismo tiempo el tamaño, el peso y el coste global del sistema.