Alpha and Omega Semiconductor Limited ha anunciado el lanzamiento de los MOSFET de 600V de 110mOhm y 140mOhm aMOS5™ Super Junction en encapsulado DFN8x8. El aMOS5 es la última generación de MOSFET de alto voltaje de AOS’diseñado para satisfacer las necesidades de alta eficiencia y alta densidad para aplicaciones de cargador rápido, adaptador, alimentación de PC, servidor, alimentación industrial, telecomunicaciones y centro de datos a hiperescala. Los recién lanzados AONV110A60 y AONV140A60 de AOS son dos MOSFETs de 600V de bajo ohmio empaquetados en el DFN8x8 de 8mm x 8mm x 0,9mm con fuente Kelvin. En comparación con otros encapsulados como el D2PAK, el DPAK o el TO-220(F), el DFN8x8 es un encapsulado más pequeño que ofrece una huella y una disipación térmica bien equilibradas. La huella de 64 mm hace que los AONV110A60 y AONV140A60 sean ideales para aplicaciones de puente activo y PFC/Flyback/LLC de alta densidad. En una comparativa interna, la empresa comparó 4 x AONV110A60 con el típico puente de diodos GBU806 de 8A en el escenario de 300W 90Vac, la solución de Puente Activo con AONV110A60 redujo la pérdida de potencia en casi un 50% (3,16W de pérdida con Puente Activo frente a 6,12W de pérdida con Puente de Diodos) y aumentó la eficiencia en un 1,1%. Los dos dispositivos DFN8x8 también encajan muy bien en aplicaciones con sólo etapas PFC y LLC, ya que reducen el espacio y la altura en un 57% y un 80%, respectivamente, frente al D2PAK. Además de las aplicaciones para servidores, los AONV110A60 y AONV140A60 también se dirigen a aplicaciones de microinversores solares y adaptadores delgados. En el diseño de microinversores se observa la tendencia de convertir la energía solar de dos paneles a través de un solo inversor, lo que supone duplicar la potencia pero no necesariamente el tamaño del sistema. Los dispositivos DFN8x8 podrían ayudar a conseguir este objetivo al ponerlos en paralelo y reducir la Rdson efectiva y, por consiguiente, las pérdidas de potencia. La fuente Kelvin del DFN8x8’se vería muy favorecida en un diseño de inversor de alta Fsw, donde las pérdidas por conmutación son más significativas y deben minimizarse. En los diseños de adaptadores delgados, los dispositivos DFN8x8, junto con los controladores de alta Fsw y los transformadores planares, podrían llevar fácilmente la densidad del sistema a 20W+/pulg3 y la eficiencia hasta el 93%+ (con puentes activos). Aspectos técnicos destacados: Dispositivos de bajo valor óhmico envasados en 64mm² DFN8x8 - Espesor del envase < 1mm - Fuente Kelvin y baja oscilación Eon/Gate - Montaje SMT automatizado - Nivel MSL 1. Precio y disponibilidad: El AONV110A60 (DFN8x8 de 600V y 110mOhm) y el AONV140A60 (DFN8x8 de 600V y 140mOhm) están disponibles inmediatamente en cantidades de producción con un plazo de entrega de 24 semanas. El precio unitario en cantidades de 1.000 unidades es de 3,96 dólares para la AONV110A60 y de 3,36 dólares para la AONV140A60.