Everspin Technologies, Inc. anuncia cambios en la dirección ejecutiva
02 de marzo 2022 a las 22:00
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Everspin Technologies, Inc. ha anunciado el nombramiento de Sanjeev Aggarwal como Director General (CEO) de Everspin, a partir del 14 de marzo de 2022. A partir de esa fecha, Darin Billerbeck, Presidente Ejecutivo del Consejo de Administración de Everspin y Consejero Delegado interino, dimitirá como Consejero Delegado interino y continuará actuando como Presidente Ejecutivo del Consejo de Administración. El Sr. Aggarwal aporta más de 25 años de experiencia en el sector de las memorias no volátiles y los semiconductores. Ha contribuido significativamente a dar forma a Everspin desde su creación en 2008 en varios puestos de liderazgo. En la actualidad, el Sr. Aggarwal ejerce como director de tecnología de Everspin y vicepresidente de operaciones y tecnología de I+D, gestionando las operaciones de fabricación y la cadena de suministro, impulsando el desarrollo tecnológico y los acuerdos comerciales con socios, vendedores y proveedores. Anteriormente, fue vicepresidente de fabricación y desarrollo de procesos de Everspin.
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Everspin Technologies, Inc. se dedica a suministrar soluciones de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM). Las soluciones MRAM de la empresa ofrecen una memoria no volátil con la velocidad y la resistencia de la memoria de acceso aleatorio (RAM) y permiten proteger los datos de misión crítica, especialmente en caso de interrupción o fallo del suministro eléctrico. Su cartera de tecnologías MRAM incluye Toggle MRAM y Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Los productos Toggle MRAM incluyen interfaces estándar de la industria, como las interfaces Paralela, Serial Peripheral Interface (SPI) y Quad SPI (QSPI). Su tecnología STT-MRAM ofrece productos en aplicaciones de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), SRAM y NOR Flash. Ofrece sus productos con interfaces derivadas DDR3 y DDR4, lo que facilita la sustitución de la DRAM respaldada por baterías por la STT-MRAM. Sus sensores de magnetorresistencia de túnel 3D (TMR) proporcionan una alta sensibilidad magnética en un único componente que realiza mediciones de campo magnético 3D en una solución monolítica.
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