Navitas Semiconductor ha anunciado que su tecnología GaNFast ha sido seleccionada para los smartphones Galaxy S22 Ultra y S22+ de Samsung. El pequeño y potente cargador Super Fast de 45W tiene la mayor densidad de potencia de todos los cargadores de Samsung, gracias a los circuitos integrados de potencia GaNFast. El S22 Ultra, con pantalla de 6,8" y batería de 5.000 mAhr, y el S22+ (pantalla de 6,6", 4.500 mAhr) son los smartphones de última generación de Samsung. El cargador GaNFast de 45W (modelo #EP-T4510) ofrece una potencia de carga rápida en toda la especificación USB-PD y PPS. Con unas dimensiones de sólo 47,4 x 27,9 x 43,6 mm (57,7 cc), el nuevo cargador rápido de Samsung alcanza una densidad de potencia superior a 1 W/cc. El GaN es una tecnología de semiconductores de nueva generación que funciona hasta 20 veces más rápido que los chips de silicio heredados. Los circuitos integrados de potencia de GaN patentados por Navitas integran la potencia de GaN (FET) y el accionamiento de GaN, además del control y la protección, en un único encapsulado SMT. El resultado son unos bloques de construcción "digital-in, power-out" fáciles de usar, de alta velocidad y alto rendimiento, que ofrecen una carga hasta 3 veces más rápida en la mitad de tamaño y peso, y con un ahorro de energía de hasta el 40% en comparación con las soluciones de silicio anteriores.