Intel ha anunciado uno de los primeros sustratos de vidrio de la industria para el encapsulado avanzado de próxima generación, previsto para la última parte de esta década. Este gran logro permitirá el escalado continuo de los transistores en un encapsulado y avanzará la Ley de Moore para ofrecer aplicaciones centradas en los datos. A finales de la década, la industria de los semiconductores alcanzará probablemente sus límites en cuanto a la posibilidad de escalar los transistores en un paquete de silicio utilizando materiales orgánicos, que consumen más energía e incluyen limitaciones como la contracción y la deformación.

El escalado es crucial para el progreso y la evolución de la industria de los semiconductores, y los sustratos de vidrio son un paso viable y esencial para la próxima generación de semiconductores. Cómo funciona: A medida que aumenta la demanda de una informática más potente y la industria de los semiconductores se adentra en la era heterogénea que utiliza múltiples "chiplets" en un encapsulado, será esencial mejorar la velocidad de señalización, la entrega de potencia, las normas de diseño y la estabilidad de los sustratos de encapsulado.

Los sustratos de vidrio poseen unas propiedades mecánicas, físicas y ópticas superiores que permiten conectar más transistores en un encapsulado, lo que proporciona un mejor escalado y posibilita el ensamblaje de complejos de chiplets más grandes (denominados "sistema en encapsulado") en comparación con los sustratos orgánicos que se utilizan en la actualidad. Los arquitectos de chips tendrán la posibilidad de empaquetar más mosaicos ? también llamados chiplets ?

en una huella más pequeña en un solo paquete, al tiempo que logran ganancias de rendimiento y densidad con una mayor flexibilidad y un menor coste global y uso de energía. Los sustratos de vidrio pueden tolerar temperaturas más altas, ofrecen un 50% menos de distorsión del patrón y tienen una planitud ultrabaja para mejorar la profundidad de enfoque para la litografía, además de tener la estabilidad dimensional necesaria para una superposición de interconexión capa a capa extremadamente ajustada. Como resultado de estas propiedades distintivas, es posible multiplicar por 10 la densidad de interconexión en los sustratos de vidrio.

Además, las propiedades mecánicas mejoradas del vidrio permiten paquetes de factor de forma ultra grande con rendimientos de montaje muy elevados. La tolerancia de los sustratos de vidrio a temperaturas más elevadas también ofrece a los arquitectos de chips flexibilidad a la hora de establecer las reglas de diseño para la entrega de energía y el enrutamiento de señales, ya que les da la posibilidad de integrar a la perfección interconexiones ópticas, así como incrustar inductores y condensadores en el vidrio a temperaturas de procesamiento más elevadas.

Esto permite mejores soluciones de entrega de potencia a la vez que se consigue la señalización de alta velocidad que se necesita a mucha menor potencia. Estos numerosos beneficios acercan a la industria a poder escalar 1 billón de transistores en un paquete para 2030.